25°C時,某溶液中由水電離出的c(OH-)=1×10-13mol/L,該溶液中一定不能大量共存的離子組是( 。
A、NH4+、Fe3+、SO42-、Cl-
B、CO32-、PO43-、K+、Na+
C、Na+、SO42-、NO3-、Cl-
D、HPO42-、Na+、HSO3-、K+
考點:離子共存問題
專題:離子反應(yīng)專題
分析:25°C時,某溶液中由水電離出的c(OH-)=1×10-13mol/L,為酸或堿溶液,與氫離子或氫氧根離子均不反應(yīng)的離子,能大量共存,以此來解答.
解答: 解:25°C時,某溶液中由水電離出的c(OH-)=1×10-13mol/L,為酸或堿溶液,
A.因堿溶液中不能大量存在NH4+、Fe3+,酸溶液中不反應(yīng)能共存,故A不選;
B.因酸溶液中不能大量存在CO32-,堿溶液中不反應(yīng)能共存,故B不選;
C.因酸或堿溶.因液中均不反應(yīng),能大量共存,故C不選;
D.HPO42-、HSO3-既能與酸反應(yīng)又能與堿反應(yīng),一定不能共存,故D選;
故選D.
點評:本題考查離子的共存,為高考常見題型,把握信息的抽取及離子之間的反應(yīng)即可解答,側(cè)重復(fù)分解反應(yīng)的考查,題目難度不大.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

寫出下列有機(jī)物的結(jié)構(gòu)簡式:
(1)2,3,5一三甲基-4-乙基庚烷
 

(2)3,5-二甲基-3-庚烯
 

(3)3,4,4-三甲基-1-戊炔
 

(4)間甲基苯乙烯
 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

已知反應(yīng):
①2K2CrO4+H2SO4=K2Cr2O7+K2SO4+H2O,
②K2Cr2O7+6FeSO4+7H2SO4=3Fe2(SO43+Cr2(SO43+K2SO4+7H2O,
③Fe2(SO43+2HI=2FeSO4+I2+H2SO4
下列結(jié)論正確的是( 。
A、①②③均是氧化還原反應(yīng)
B、氧化性強(qiáng)弱順序是:K2Cr2O7>Fe2(SO43>I2
C、反應(yīng)②中氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為6:1
D、反應(yīng)③中0.1mol還原劑共失去電子數(shù)為1.2×1022

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

將某黑色固體A加熱至紅熱,放入熱的濃H2SO4中,反應(yīng)時放出的兩種氣體皆為酸性氧化物,反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 
,此反應(yīng)證明濃H2SO4具有
 
性,若有a g A參加反應(yīng),放出的氣體在標(biāo)況下占
 
L,轉(zhuǎn)移的電子的物質(zhì)的量是
 
;被還原H2SO4
 
mol.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列除雜質(zhì)的方法不正確的是( 。
A、鎂粉中混有少量鋁粉:加入過量燒堿溶液充分反應(yīng),過濾、洗滌、干燥
B、FeCl3溶液中混有少量AlCl3:加入過量氨水,過濾、洗滌沉淀,將沉淀再用適量鹽酸溶解
C、加入新制的生石灰,通過加熱蒸餾,以除去乙醇中的少量水?
D、Al(OH)3中混有少量Mg(OH)2:加入足量燒堿溶液,充分反應(yīng),過濾,向濾液中通入過量CO2后過濾、洗滌、干燥

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列說法正確的是( 。
A、已知一混合溶液中有Na+、Cl-、SO42-、H+、K+,含Na+0.2mol,SO42-0.5mol,H+0.2mol,K+0.8mol,則Cl-的物質(zhì)的量為0.1mol
B、NO和O2可發(fā)生如下反應(yīng):2NO+O2=2NO2,現(xiàn)有a mol NO和b mol O2充分反應(yīng)后氮原子和氧原子的個數(shù)比為
a
2b
C、4.2g氮氣和4.8g某單質(zhì)RX所含原子個數(shù)相同,且分子個數(shù)之比為1:1,則R為氧元素
D、已知8g A能與42g B恰好完全反應(yīng),生成22g C和一定量D,現(xiàn)將16g A與100g B的混合物充分反應(yīng)后,生成2mol D和一定量C,則D的摩爾質(zhì)量是18g/mol

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

將1.12克鐵粉加入2摩/升氯化鐵溶液25毫升中,充分的反應(yīng)后,其結(jié)果是( 。
A、鐵有剩余
B、往溶液中滴入無色KSCN溶液,顯紅色
C、Fe2+與Fe3+物質(zhì)的量之比為3:1
D、氧化產(chǎn)物與還原產(chǎn)物的物質(zhì)的量之比為2:5

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

2004年9月3日英國《自然》雜志報道,碳化硅是已知最硬的物質(zhì)之一,其單晶體可制作半導(dǎo)體材料.但正是由于它硬度高,熔化及鍛制的過程相當(dāng)費勁,而且制成的晶片容易產(chǎn)生瑕疵,如雜質(zhì)、氣泡等,這些物質(zhì)會嚴(yán)重影響或削弱電流.因此,碳化硅一直無法被用來制造芯片.日本研究人員稱,他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法,使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠.下列有關(guān)碳化硅(SiC)的有關(guān)說法錯誤的是( 。
A、晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體
B、碳化硅是一種新型的無機(jī)非金屬材料
C、碳化硅的熔點比晶體硅高
D、制取碳化硅的反應(yīng):SiO2+3C
 高溫 
.
 
SiC+2CO↑中,SiO2是氧化劑,C是還原劑

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列反應(yīng)進(jìn)行分類時,既屬于氧化反應(yīng)又屬于化合反應(yīng)的是(  )
A、Zn+H2SO4=ZnSO4+H2
B、2KClO3
 MnO2 
.
2KCl+3O2
C、CaO+H2O═Ca(OH)2 
D、H2+Cl2
 點燃 
.
 
2HCl

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