下列原子有三個(gè)未成對電子的是(  )
分析:根據(jù)核外電子排布規(guī)律寫出各原子的最外層電子排布,結(jié)合軌道排布式解答.
排布規(guī)律:1、泡利不相容原理:每個(gè)軌道最多只能容納兩個(gè)電子,且自旋相反配對;
2、能量最低原理:電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道;
3、洪特規(guī)則:簡并軌道(能級相同的軌道)只有被電子逐一自旋平行地占據(jù)后,才能容納第二個(gè)電子.
另外:等價(jià)軌道在全充滿、半充滿或全空的狀態(tài)是比較穩(wěn)定的.
解答:解:A、N原子的價(jià)層電子排布式為2s22p3,p能級有3個(gè)簡并軌道,3個(gè)電子分別占據(jù)1個(gè)軌道,且自旋方向相同,有3個(gè)未成對電子,故A符合;
B、O原子的價(jià)層電子排布式為2s22p4,p能級有3個(gè)簡并軌道,4個(gè)電子占據(jù)3個(gè)軌道,其中1個(gè)軌道填充滿2個(gè)電子,另外2個(gè)軌道各填充1個(gè)電子,且自旋方向相同,有2個(gè)未成對電子,故B不符合;
C、Cl原子的價(jià)層電子排布式為2s22p5,p能級有3個(gè)簡并軌道,5個(gè)電子占據(jù)3個(gè)軌道,其中2個(gè)軌道填充滿2個(gè)電子,另外1個(gè)軌道填充1個(gè)電子,有1個(gè)未成對電子,故C不符合;
D、Mg原子的價(jià)層電子排布式為2s2,s能級有1軌道,填充滿2個(gè)電子,自旋方向相反,沒有未成對電子,故D不符合.
故選:A.
點(diǎn)評:考查核外電子排布規(guī)律,比較基礎(chǔ),注意理解核外電子排布規(guī)律.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

現(xiàn)有部分短周期元素的性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如下表:
元素編號 元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)
T 單質(zhì)能與水劇烈反應(yīng),所得溶液呈弱酸性
X L層p電子數(shù)比s電子數(shù)多2個(gè)
Y 第三周期元素的簡單離子中半徑最小
Z L層有三個(gè)未成對電子
(1)寫出元素Z的氣態(tài)氫化物的電子式
(用相關(guān)元素符號表示),該氫化物VESPR模型是
四面體型
四面體型

(2)Y元素的價(jià)電子排布式
3s23p1
3s23p1

(3)元素T與氯元素相比,非金屬性較強(qiáng)的是
F
F
(用元素符號表示),下列表述中能證明這一事實(shí)的是
c
c

a.常溫下氯氣的顏色比T單質(zhì)的顏色深
b.T的單質(zhì)通入氯化鈉水溶液不能置換出氯氣
c.氯與T形成的化合物中氯元素呈正價(jià)態(tài)
d.T的氫化物的沸點(diǎn)高于HCl.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

A、B、C、D、E五種元素原子序數(shù)依次增大,除E外均為短周期主族元素,B、C、D同周期,A、D同主族.A的最外層有三個(gè)未成對的電子,B是同周期第一電離能最小的元素,C的原子結(jié)構(gòu)示意圖為:,E的價(jià)層電子排布式為3d64s2.回答下列問題:
(1)寫出下列元素的符號:A
N
N
  B
Na
Na
  C
Si
Si
   D
P
P

(2)用元素符號表示A、C、D電負(fù)性由小到大的順序
Si<P<N
Si<P<N

(3)用化學(xué)式表示上述五種元素中最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物酸性最強(qiáng)的是
HNO3
HNO3

(4)D的氫化物比A的氫化物的沸點(diǎn)
(填“高“或“低“),A的氫化物分子立體構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形

(5)E元素在周期表的位置是
第四周期、Ⅷ族
第四周期、Ⅷ族

(6)B、C、D最高價(jià)氧化物的晶體類型是分別是
離子晶體
離子晶體
、
原子晶體
原子晶體
分子晶體
分子晶體

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列原子有三個(gè)未成對電子的是( 。
A.NB.OC.ClD.Mg

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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年上海市松江二中高一(上)期中化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

下列原子有三個(gè)未成對電子的是( )
A.N
B.O
C.Cl
D.Mg

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