7.下列關(guān)于鎂的冶煉說法中,正確的是( 。
A.冶煉鎂的最后一步反應(yīng)為電解MgCl2溶液
B.由氯化鎂的結(jié)晶水合物得到氯化鎂屬于物理變化
C.利用海水和石灰水作用可以得到氯化鎂
D.利用氯化鎂冶煉金屬鎂而不利用氧化鎂的原因是氧化鎂的熔點太高

分析 A.鎂為活潑金屬,用電解熔融氯化鎂的方法冶煉;
B.物理變化沒有新物質(zhì)生成;
C.海水中含有鎂離子,石灰水為氫氧化鈣,二者反應(yīng)生成氫氧化鎂沉淀;
D.MgO熔點很高,能耗太大,不經(jīng)濟.

解答 解:A.冶煉鎂的最后一步反應(yīng)為電解熔融的MgCl2,電解氯化鎂溶液得不到鎂,故A錯誤;
B.由氯化鎂的結(jié)晶水合物得到氯化鎂,二者不是同一種物質(zhì),屬于化學變化,故B錯誤;
C.海水中含有鎂離子,石灰水為氫氧化鈣,二者反應(yīng)生成氫氧化鎂沉淀,得不到氯化鎂,故C錯誤;
D.因為MgO熔點很高,能耗太大,不經(jīng)濟,所以利用氯化鎂冶煉金屬鎂而不利用氧化鎂,故D正確;
故選:D.

點評 本題考查了金屬的冶煉,側(cè)重考查金屬鎂,熟悉海水提鎂的過程、氧化鎂、氯化鎂的性質(zhì)是解題關(guān)鍵,題目難度不大.

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

14.下列操作中不正確的是( 。
A.除去乙酸乙酯中的少量乙酸:加入乙醇和濃硫酸,使乙酸全部轉(zhuǎn)化為乙酸乙酯
B.除去苯中的少量苯酚:加入NaOH溶液,振蕩、靜置分層后,除去水層
C.做過銀鏡反應(yīng)的試管:加入稀硝酸洗滌
D.提取溶解在水中的少量碘:加入CCl4,振蕩、靜置分層后,取出有機層再分離

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科目:高中化學 來源: 題型:填空題

15.相同條件下,體積比為1:2和質(zhì)量比為1:2的H2和O2的混合氣體,其平均相對分子質(zhì)量分別是22和5.33.

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科目:高中化學 來源: 題型:解答題

15.已知A的產(chǎn)量通常用來衡量一個國家的石油化工發(fā)展水平,B、D是飲食中兩種常見的有機物,F(xiàn)是一種有香味的物質(zhì),F(xiàn)中碳原子數(shù)是D的兩倍.現(xiàn)以A為主要原料合成F和高分子化合物E,其合成路線如圖1所示.

(1)A的結(jié)構(gòu)式為,B中決定性質(zhì)的重要官能團的名稱為羥基.
(2)寫出反應(yīng)的化學方程式并判斷反應(yīng)類型.
①2CH3CH2OH+O2 $→_{△}^{Cu}$2CH3CHO+2H2O,反應(yīng)類型:氧化反應(yīng).②CH3CH2OH+CH3COOH$→_{△}^{濃硫酸}$CH3COOCH2CH3+H2O,反應(yīng)類型:酯化反應(yīng)或取代反應(yīng).
(3)實驗室怎樣鑒別B和D?取某一待測液于試管中,滴加少量石蕊溶液,若溶液變紅,則所取待測液為乙酸,余下一種為乙醇.
(4)在實驗室里我們可以用如圖2所示的裝置來制取F,該裝置圖中有一個明顯的錯誤是導(dǎo)氣管的出口伸入到了液面以下.

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

2.下列說法正確的是( 。
A.焓變單位kJ•mol-1,是指1 mol物質(zhì)參加反應(yīng)時的能量變化
B.當反應(yīng)放熱時△H>0,反應(yīng)吸熱時△H<0
C.一個化學反應(yīng)中,當反應(yīng)物的總能量大于生成物的總能量時,反應(yīng)放熱,△H為“-”
D.一個化學反應(yīng)中,當生成物總鍵能大于反應(yīng)物的總鍵能時,反應(yīng)吸熱,△H為“+”

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

12.關(guān)于同系物的下列敘述不正確的是(  )
A.一定屬于同類物質(zhì)B.分子內(nèi)碳原子數(shù)一定不同
C.分子組成一定滿足同一通式D.可能互為同分異構(gòu)體

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

19.下列表達方式錯誤的是(  )
A.H:ClB.Na+C.188OD.O=C=O

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

16.完全燃燒物質(zhì)的量相等的某有機物和乙醇,實驗測得:
①乙醇燃燒生成的CO2的量是該有機物燃燒生成的CO2的量的$\frac{2}{3}$;
②該有機物燃燒生成水的量是乙醇燃燒生成水的量的$\frac{2}{3}$;
③二者消耗相同狀態(tài)下氧氣的體積相同,通過分析判斷該有機物是(  )
A.C4H9OHB.CH2=CHCOOHC.CH2=CHCHOD.CH3CH2COOH

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

17.下列有關(guān)表示方法中,正確的是( 。
A.次氯酸的電子式為:
B.氮原子軌道表示式為:
C.硫原子的最外層電子排布式為:3s23p4
D.N2的結(jié)構(gòu)式為::N≡N:

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