原子序數(shù)依次增大的短周期元素a、b、c、d和e中，a的最外層電子數(shù)為其周期數(shù)的二倍；b和d的A₂B型氫化物均為V形分子，c的＋1價(jià)離子比e的－1價(jià)離子少8個(gè)電子。

回答下列問(wèn)題：

(1)元素a為________；c為________；

(2)由這些元素形成的雙原子分子為________；

(3)由這些元素形成的三原子分子中，分子的空間結(jié)構(gòu)屬于直線形的是________，非直線形的是______________；(寫2種)

(4)這些元素的單質(zhì)或由它們形成的AB型化合物中，其晶體類型屬于原子晶體的是________，離子晶體的是________，金屬晶體的是________，分子晶體的是________；(每空填一種)

(5)元素a和b形成的一種化合物與c和b形成的一種化合物發(fā)生的反應(yīng)常用于防毒面具中，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________ _________________________________________________________。

金屬鎳在電池、合金、催化劑等方面應(yīng)用廣泛。

(1)下列關(guān)于金屬及金屬鍵的說(shuō)法正確的是________。

a．金屬鍵具有方向性與飽和性

b．金屬鍵是金屬陽(yáng)離子與自由電子間的相互作用

c．金屬導(dǎo)電是因?yàn)樵谕饧与妶?chǎng)作用下產(chǎn)生自由電子

d．金屬具有光澤是因?yàn)榻饘訇?yáng)離子吸收并放出可見光

(2)Ni是元素周期表中第28號(hào)元素，第二周期基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)與Ni相同且電負(fù)性最小的元素是_______________________ _________________________________________________。

(3)過(guò)濾金屬配合物Ni(CO)_n的中心原子價(jià)電子數(shù)與配體提供電子總數(shù)之和為18，則n＝________。CO與N₂結(jié)構(gòu)相似，CO分子內(nèi)σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為________。

(4)甲醛(H₂C===O)在Ni催化作用下加氫可得甲醇(CH₃OH)。甲醇分子內(nèi)C原子的雜化方式為________，甲醇分子內(nèi)的O－C－H鍵角________(填“大于”“等于”或“小于”)甲醛分子內(nèi)的O－C－H鍵角。

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)S單質(zhì)的常見形式為S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是________；

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開___________________；

(3)Se原子序數(shù)為________，其核外M層電子的排布式為________；

(4)H₂Se的酸性比H₂S________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO₃分子的立體構(gòu)型為________，SO離子的立體構(gòu)型為________；

(5)H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7×10^－3和2.5×10^－8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，K₂為1.2×10^－2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：

①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步電離程度大于第二步電離的原因：________；

  ②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：_______________________

__________________________________________________________；

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為________g·cm^－3(列式并計(jì)算)，a位置S^2－離子與b位置Zn^2＋離子之間的距離為________pm(列式表示)。

 (1)可正確表示原子軌道的是________。

A．2s　　　　　　　　　     B．2d

C．3p_x      D．3f

(2)寫出基態(tài)鎵(Ga)原子的電子排布式：________。

(3)下列物質(zhì)變化，只與范德華力有關(guān)的是________  。

A．干冰熔化    B．乙酸汽化

C．乙醇與丙酮混溶  D．溶于水

E．碘溶于四氯化碳  F．石英熔融

(4)下列物質(zhì)中，只含有極性鍵的分子是________，既含離子鍵又含共價(jià)鍵的化合物是________；只存在σ鍵的分子是________，同時(shí)存在σ鍵和π鍵的分子是________。

A. N₂　　B．CO₂　　C．CH₂Cl₂　　D．C₂H₄

E．C₂H₆　　F．CaCl₂　　　 G．NH₄Cl

(5)用“>”、“<”或“＝”填空：

第一電離能的大小：Mg________Al；熔點(diǎn)的高低：KCl________ MgO。

 (1)元素的第一電離能：Al________Si(填“>”或“<”)。

(2)基態(tài)Mn^2＋的核外電子排布式為________。

(3)硅烷(Si_nH_2n＋2)的沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示，呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是_________________________________。

(4)硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉，其陰離子X(jué)^m－(含B、O、H三種元素)的球棍模型如下圖所示：

①在X^m－中，硼原子軌道的雜化類型有________；配位鍵存在于________原子之間(填原子的數(shù)字標(biāo)號(hào))；

m＝________(填數(shù)字)。

②硼砂晶體由Na^＋、X^m－和H₂O構(gòu)成，它們之間存在的作用力有________ (填序號(hào))。

A．離子鍵　　　　B．共價(jià)鍵　　　　 C．金屬鍵

D．范德華力　　　E．氫鍵

一項(xiàng)科學(xué)研究成果表明，銅錳氧化物(CuMn₂O₄)能在常溫下催化氧化空氣中的一氧化碳和甲醛(HCHO)。

(1)向一定物質(zhì)的量濃度的Cu(NO₃)₂和Mn(NO₃)₂溶液中加入Na₂CO₃溶液，所得沉淀經(jīng)高溫灼燒，可制得CuMn₂O₄。

①M(fèi)n^2＋基態(tài)的電子排布式可表示為 ________。

②NO的空間構(gòu)型是________ (用文字描述)。

(2)在銅錳氧化物的催化下，CO被氧化為CO₂，HCHO被氧化為CO₂和H₂O。

①根據(jù)等電子體原理，CO分子的結(jié)構(gòu)式為________。

②H₂O分子中O原子軌道的雜化類型為________。

③1 mol CO₂中含有的σ鍵數(shù)目為________。

(3)向CuSO₄溶液中加入過(guò)量NaOH溶液可生成[Cu(OH)₄]^2－。不考慮空間構(gòu)型，[Cu(OH)₄]^2－的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為________。

（1）依據(jù)第2周期元素第一電離能的變化規(guī)律，參照右圖B、F元素的位置，用小黑點(diǎn)標(biāo)出C、N、O三種元素的相對(duì)位置。

（2）NF₃可由NH₃和F₂在Cu催化劑存在下反應(yīng)直接得到：

①上述化學(xué)方程式中的5種物質(zhì)所屬的晶體類型有_________（填序號(hào)）。

a.離子晶體 b.分子晶體 c.原子晶體 d.金屬晶體

②基態(tài)銅原子的核外電子排布式為________。

（3）BF3與一定量水形成(H₂O)₂·BF₃晶體Q，Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R：

①晶體Q中各種微粒間的作用力不涉及___________（填序號(hào)）。

a.離子鍵 b.共價(jià)鍵  c.配位鍵 d.金屬鍵 e.氫鍵 f.范德華力

②R中陽(yáng)離子的空間構(gòu)型為_______，陰離子的中心原子軌道采用_______雜化。

（4）已知苯酚()具有弱酸性，其Ka=1.1 ×10^-10；水楊酸第一級(jí)電離形成的離子能形成分子內(nèi)氫鍵。據(jù)此判斷，相同溫度下電離平衡常數(shù)Ka2(水楊酸)_______Ka(苯酚)（填“>”或“<”），其原因是__________。

【知識(shí)點(diǎn)】化學(xué)鍵、晶體結(jié)構(gòu)、電子排布式的書寫、雜化軌道、分子的空間構(gòu)型以及電離

常數(shù)等知識(shí)。

圖A所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系中（具體反應(yīng)條件略），a、b、c和d分別為四種短周期元素的常見單質(zhì)，其余均為它們的化合物，i的溶液為常見的酸，a的一種同素異形體的晶胞如圖B所示。

回答下列問(wèn)題：

（1）圖B對(duì)應(yīng)的物質(zhì)名稱是          ，其晶胞中的原子數(shù)為       ，晶體類型為        。

（2）d中元素的原子核外電子排布式為        。

（3）圖A中由二種元素組成的物質(zhì)中，沸點(diǎn)最高的是       ，原因是       ，該物質(zhì)的分子構(gòu)型為          ，中心原子的雜化軌道類型為          。

（4）圖A中的雙原子分子中，極性最大的分子是          。

（5）k的分子式為          ，中心原子的雜化軌道類型為          ，屬于          分子（填“極性”或“非極性”）。

A.[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]

    元素X位于第四周期，其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子，且最外層電子數(shù)為2。元素Y基態(tài)原子的3p軌道上有4個(gè)電子。元素Z的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍。

(1)X與Y所形成化合物晶體的晶胞如右圖所示。

①在1個(gè)晶胞中，X離子的數(shù)目為                  。

②該化合物的化學(xué)式為                      。

(2)在Y的氫化物(H₂Y)分子中，Y原子軌道的雜化類型是

                     。

(3)Z的氫化物(H₂Z)在乙醇中的溶解度大于H₂Y，其原因是

                                               。

(4)Y與Z可形成YZ₄^2－

①YZ₄^2－的空間構(gòu)型為                   (用文字描述)。

②寫出一種與YZ₄^2－互為等電子體的分子的化學(xué)式：                            。

(5)X的氯化物與氨水反應(yīng)可形成配合物[X(NH₃)₄]Cl₂，1mol該配合物中含有σ鍵的數(shù)目為                       。

    硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)�；卮鹣铝袉�(wèn)題:

(1)基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)        ，該能層具有的原子軌道數(shù)為       、電子數(shù)為          。

(2)硅主要以硅酸鹽、        等化合物的形式存在于地殼中。

(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以             相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)         個(gè)原子。

(4)單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來(lái)制備。工業(yè)上采用Mg₂Si和NH₄CI在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH₄,，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                               。

(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):

①     硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是                                                                  

②     SiH₄的穩(wěn)定性小于CH₄，更易生成氧化物，原因是                         

 (6)在硅酸鹽中，四面體(如下圖(a))通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根；其中Si原子的雜化形式為      。Si與O的原子數(shù)之比為            化學(xué)式為