9.太陽(yáng)能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置.其材料有單晶硅,還有銅、鍺、鎵、硒等化合物.

(1)基態(tài)亞銅離子中電子占據(jù)的原子軌道數(shù)目為14.
(2)若基態(tài)硒原子價(jià)層電子排布式寫成4s
24p
x24p
y4,則其違背了洪特規(guī)則.
(3)圖1表示碳、硅和磷元素的四級(jí)電離能變化趨勢(shì),其中表示磷的曲線是b(填標(biāo)號(hào)).
(4)單晶硅可由二氧化硅制得,二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,在二氧化硅晶體中,Si、O原子所連接的最小環(huán)為12元環(huán),則每個(gè)O原子連接6個(gè)最小環(huán).
(5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性.自然界中含硼元素的鈉鹽是一種天然礦藏,其化學(xué)式寫作Na
2B
4O
7•10H
2O,實(shí)際上它的結(jié)構(gòu)單元是由兩個(gè)H
3BO
3和兩個(gè)[B(OH)
4]
-縮合而成的雙六元環(huán),應(yīng)該寫成Na
2[B
4O
5(OH)
4]8H
2O.其結(jié)構(gòu)如圖3所示,它的陰離子可形成鏈狀結(jié)構(gòu).
①該晶體中不存在的作用力是C(填選項(xiàng)字母).
A.離子鍵B.共價(jià)鍵C.金屬鍵n.范德華力E.氫鍵
②陰離子通過氫鍵相互結(jié)合形成鏈狀結(jié)構(gòu).
(6)氮化嫁(GaN)的晶體結(jié)構(gòu)如圖4所示.晶體中N、Ga原子的軌道雜化類型是否相同是(填“是”或“否”),判斷該晶體結(jié)構(gòu)中存在配位鍵的依據(jù)是晶胞中1個(gè)Ga與4個(gè)N原子相結(jié)合,而Ga原子中含有3個(gè)價(jià)電子,Ga提供1個(gè)空軌道與N原子提供的孤對(duì)電子形成配位鍵.
(7)某光電材料由鍺的氧化物與銅的氧化物按一定比例熔合而成,其中鍺的氧化物晶胞結(jié)構(gòu)如圖5所示,該物質(zhì)的化學(xué)式為GeO.已知該晶體密度為7.4g/cm
3,晶胞邊長(zhǎng)為4.3×10
-10m.則鍺的相對(duì)原子質(zhì)量為72.5(保留小數(shù)點(diǎn)后一位).