【題目】下列關(guān)于電阻率的敘述,正確的是

A. 各種材料的電阻率不管在什么條件下都不可能為零

B. 常用的導(dǎo)線(xiàn)是用電阻率較小的鋁、銅材料做成的

C. 各種材料的電阻率取決于導(dǎo)體的電阻、橫截面積和長(zhǎng)度

D. 各種材料的電阻率一定都隨溫度的升高而增大

【答案】B

【解析】某些金屬材料,當(dāng)溫度降低到絕對(duì)零度附近時(shí),電阻率會(huì)突然減為零,叫做超導(dǎo)現(xiàn)象,故A錯(cuò)誤;由于鋁銅的電阻率較小,常用的導(dǎo)線(xiàn)用鋁銅做成的,故B正確;電阻率是描述材料導(dǎo)電能力的物理量,材料的電阻率由材料本身性質(zhì)決定,與材料長(zhǎng)度和橫截面積無(wú)關(guān),受溫度影響,故C錯(cuò)誤;金屬材料的電阻率隨溫度的升高而升高,半導(dǎo)體的電阻率隨溫度的升高而降低,故D錯(cuò)誤;故選B.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】從地面豎直上拋一物體A,同時(shí)在離地面某一高度處有另一物體B自由下落,兩物體在空中同時(shí)到達(dá)同一高度時(shí)速率都是v,則

A物體A上拋的初速度和物體B的末速度都是2v

BA與B在空中運(yùn)動(dòng)時(shí)間相等

CA能上升的最大高度和B開(kāi)始下落時(shí)的高度相同

D兩物體在空中同時(shí)到達(dá)同一高度處一定是B物體開(kāi)始下落時(shí)高度的中點(diǎn)

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖甲所示,質(zhì)量m1kg的物塊(可視為質(zhì)點(diǎn))以v010ms的初速度從粗糙斜面上的P點(diǎn)沿斜面向上運(yùn)動(dòng)到達(dá)最高點(diǎn)后,又沿原路返回,其速率隨時(shí)間變化的圖像如圖乙所示,已知斜面固定且足夠長(zhǎng).且不計(jì)空氣阻力,取g10ms2.下列說(shuō)法中正確的是( )

A. 物塊所受的重力與摩擦力之比為52

B. t1st6s的時(shí)間內(nèi)物塊所受重力的平均功率為50W

C. t6s時(shí)物體克服摩擦力做功的功率為20W

D. t0t1s時(shí)間內(nèi)機(jī)械能的變化量大小與t1st6s時(shí)間內(nèi)機(jī)械能變化量大小之比為1 5

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】從高度為125m的塔頂,先后落下a、b兩球,自由釋放這兩個(gè)球的時(shí)間差為1s,則以下判斷正確的是(g10m/s2,不計(jì)空氣阻力)( 。

A. b球下落高度為20m時(shí),a球的速度大小為20m/s

B. a球接觸地面瞬間,b球離地高度為45m

C. a球接觸地面之前,兩球的速度差恒定

D. a球接觸地面之前,兩球離地的高度差恒定

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】對(duì)電場(chǎng)線(xiàn)的描述錯(cuò)誤的是(

A. 電場(chǎng)線(xiàn)上某點(diǎn)的切線(xiàn)方向表示該點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)方向 B. 電場(chǎng)線(xiàn)永不相交

C. 電場(chǎng)線(xiàn)是閉合曲線(xiàn) D. 電場(chǎng)線(xiàn)是假想曲線(xiàn)

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】在測(cè)量電源的電動(dòng)勢(shì)和內(nèi)阻的實(shí)驗(yàn)中,由于所用的電壓表視為理想電壓表的量程較小,某同學(xué)設(shè)計(jì)了如圖所示的實(shí)物電路。

1實(shí)驗(yàn)時(shí),應(yīng)先將電阻箱的電阻調(diào)到 .(選填最大值、最小值任意值

2改變電阻箱的阻值R,分別測(cè)出阻值R0=10Ω的定值電阻兩端的電壓U,下列兩組R的取值方案中,比較合理的方案是____.(選填1或2

方案編號(hào)

電阻箱的阻值R/Ω

1

4000

3500

3000

2500

2000

2

800

700

600

500

400

3根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)描點(diǎn),繪出的圖像是一條直線(xiàn)。若直線(xiàn)的斜率為k,在坐標(biāo)軸上的截距為b,則該電源的電動(dòng)勢(shì)E= ,內(nèi)阻r= 用k、b和R0表示

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】下圖是研究平拋物體運(yùn)動(dòng)的實(shí)驗(yàn)裝置圖,通過(guò)描點(diǎn)畫(huà)出平拋小球的運(yùn)動(dòng)軌跡.

1)以下是實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的一些做法,其中合理的有________

a.安裝斜槽軌道,使其末端保持水平

b.每次小球釋放的初始位置可以任意選擇

c.每次小球應(yīng)從同一高度由靜止釋放

d.為描出小球的運(yùn)動(dòng)軌跡,描繪的點(diǎn)可以用折線(xiàn)連接

2)實(shí)驗(yàn)得到平拋小球的運(yùn)動(dòng)軌跡,在軌跡上取一些點(diǎn),以平拋起點(diǎn)O為坐標(biāo)原點(diǎn),測(cè)量它們的水平坐標(biāo)x和豎直坐標(biāo)y,圖中yx2圖象能說(shuō)明平拋小球運(yùn)動(dòng)軌跡為拋物線(xiàn)的是________

3)某同學(xué)根據(jù)實(shí)驗(yàn)畫(huà)出的平拋小球的運(yùn)動(dòng)軌跡,實(shí)驗(yàn)中只記錄了豎直線(xiàn)沒(méi)有記錄平拋的起點(diǎn),在豎直線(xiàn)上取某點(diǎn)記為O,過(guò)O的水平線(xiàn)為X軸,在軌跡上任取三點(diǎn)A、BC,測(cè)ABC點(diǎn)豎直坐標(biāo)y1400 cm、y21200 cmy31750 cm, AB兩點(diǎn)水平坐標(biāo)為200 cm400 cm.則平拋小球的初速度v0________ m/s,小球在C點(diǎn)的速度vC________ m/s(結(jié)果可以用根式表示,g10 m/s2).

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】2018222日晚,在短道速滑男子500m決賽中,世界排名第一的中國(guó)選手武大靖,以39.584s的成績(jī),打破了世界紀(jì)錄,為中國(guó)隊(duì)收獲了平昌冬奧會(huì)上的首枚金牌。已知500m速滑跑道每圈長(zhǎng)度為111.12m,由此可計(jì)算武大靖在這次決賽中的

A. 平均速率 B. 平均速度

C. 起跑時(shí)的加速度 D. 沖過(guò)終點(diǎn)時(shí)的瞬時(shí)速度

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,其中電流表A的量程為06A,表盤(pán)均勻劃分為30個(gè)小格,每一小格表示002A;R1的阻值等于電流表內(nèi)阻阻值的一半;R2的阻值等于電流表內(nèi)阻的2倍。若用電流表A的表盤(pán)刻度表示流過(guò)接線(xiàn)柱1的電流值,則下列分析正確的是

A將接線(xiàn)柱1、2接入電路時(shí),每一小格表示004A

B將接線(xiàn)柱1、2接入電路時(shí),每一小格表示002A

C將接線(xiàn)柱1、3接入電路時(shí),每一小格表示006A

D將接線(xiàn)柱1、3接入電路時(shí),每一小格表示001A

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同步練習(xí)冊(cè)答案