A. | 分子間距增大,分子勢(shì)能一定增大 | |
B. | 物體的溫度越高,其分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能越大 | |
C. | 外界對(duì)物體做功,物體的內(nèi)能一定增加 | |
D. | 只有熱傳遞才能改變物體的內(nèi)能 |
分析 分子勢(shì)能與分子間距離的關(guān)系與分子力的性質(zhì)有關(guān),做功和熱傳遞是改變物體內(nèi)能的方式,溫度時(shí)分子平均動(dòng)能的標(biāo)志.
解答 解:A、分子間的距離為r0時(shí),分子勢(shì)能最小,當(dāng)分子間距離大于r0時(shí),分子間距離增大,分子勢(shì)能增大,當(dāng)分子間距離小于r0時(shí),分子間距離增大,分子勢(shì)能減小,故A錯(cuò)誤
B、溫度是分子平均動(dòng)能的標(biāo)志,溫度越高分子平均動(dòng)能越大,分子運(yùn)動(dòng)越劇烈,故B正確;
C、根據(jù)熱力學(xué)第一定律可知,外界對(duì)物體做功,若氣體對(duì)外放熱,其內(nèi)能不一定增加,故C錯(cuò)誤,
D、改變物體內(nèi)能的方式有熱傳遞和做功,故D錯(cuò)誤;
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵要掌握熱量的意義和溫度的微觀含義,掌握分子勢(shì)能與分子距離的關(guān)系.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | P、N兩質(zhì)點(diǎn)始終處于平衡位置 | |
B. | 該時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)M正處于平衡位置 | |
C. | 隨著時(shí)間的推移,質(zhì)點(diǎn)O將向M點(diǎn)移動(dòng) | |
D. | 從該時(shí)刻起,經(jīng)過四分之一個(gè)周期,質(zhì)點(diǎn)O將到達(dá)平衡位置,此時(shí)位移為零 | |
E. | OM連線的中點(diǎn)是振動(dòng)加強(qiáng)點(diǎn),其振幅為單個(gè)波引起的振幅的2倍 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 火星公轉(zhuǎn)的線速度大于地球公轉(zhuǎn)的線速度 | |
B. | 火星公轉(zhuǎn)的周期比地球公轉(zhuǎn)的周期短 | |
C. | 火星公轉(zhuǎn)的向心加速度比地球公轉(zhuǎn)的向心加速度大 | |
D. | 火星表面重力加速度約為4 m/s2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 10eV | B. | 15eV | C. | 40eV | D. | 55eV |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 線框在經(jīng)過2、3、4三個(gè)位置時(shí),位置3時(shí)線圈速度一定最小 | |
B. | 線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的電熱Q=mgd | |
C. | 線框從位置2下落到位置4的過程中加速度一直減小 | |
D. | 線框在經(jīng)過位置3時(shí)克服安培力做功的瞬時(shí)功率為$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}g(h-d+L)}{R}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 光學(xué)鏡頭上的增透膜是光的偏振現(xiàn)象的實(shí)際應(yīng)用 | |
B. | 光纖一般是由折射率較低的玻璃內(nèi)芯和折射率較高的外層透明介質(zhì)組成 | |
C. | 在光的傳播過程中,當(dāng)孔、縫或障礙物的大小比光的波長大得多時(shí),衍射現(xiàn)象較明顯 | |
D. | 在紅光的雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中,當(dāng)兩縫間距離減小且兩縫到光屏的距離增大時(shí),相鄰條紋間距增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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