研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型如圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形,方向如圖所示(不計(jì)電子所受重力).

(1)在AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放的電子,求電子CD邊射出時(shí)出射點(diǎn)的縱坐標(biāo)y

(2)在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,若電子恰能從Ⅱ區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)粒子所受重力,已知電子的質(zhì)量為m,電量為e)。

(1)   在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開勻強(qiáng)電場I的時(shí)間t和速率v0 。

(2)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電  

子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);

   (3)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo);

 

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2010—2011學(xué)年遼寧省沈陽二中高一下學(xué)期6月月考物理試題 題型:計(jì)算題

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)粒子所受重力,已知電子的質(zhì)量為m,電量為e)。
(1)  在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開勻強(qiáng)電場I的時(shí)間t和速率v0 。
(2)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電  
子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
(3)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo);

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2013屆遼寧省高一下學(xué)期6月月考物理試題 題型:計(jì)算題

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)粒子所受重力,已知電子的質(zhì)量為m,電量為e)。

(1)   在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開勻強(qiáng)電場I的時(shí)間t和速率v0 。

(2)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電  

子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);

   (3)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo);

 

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解