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【題目】如圖所示,平行板電容器的兩極板AB接于電池兩極,一帶正電的小球懸掛在電容器內部,閉合S,電容器充電,這時懸線偏離豎直方向的夾角為θ,則下列說法正確的是

A.保持S閉合,將A板向B板靠近,則θ增大

B.斷開S,將A板向B板靠近,則θ增大

C.保持S閉合,懸線燒斷,則小球在電場中將作自由落體運動

D.斷開S,懸線燒斷,則小球在電場中將作變加速曲線運動

【答案】A

【解析】

A. 保持開關S閉合,電容器極板間的電壓不變,將板向板靠近,由

可知電場強度增大,小球所受的電場力增大,則增大,故A正確;

B. 斷開S,電容器的帶電量不變,根據(jù):

結合可得:

可知電場強度無關,則減小時不變,電場力不變,不變,故B錯誤;

C. 保持開關S閉合,懸線燒斷,小球在電場中受到重力和電場力作用,將沿合力方向做勻加速直線運動,故C錯誤;

D. 開關S斷開,同時燒斷細線,小球受重力和恒定電場力不變,小球將做斜向下的勻加速直線運動,故D錯誤。

練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】幾個水球可以擋住一顆子彈?(國家地理頻道)的實驗結果是:四個水球足夠!完全相同的水球緊挨在起水平排列,子彈在水球中沿水平方向做勻變速直線運動,恰好能穿出第4個水球,則可以判斷的是( )

A. 子彈在每個水球中的速度變化相同

B. 子彈在每個水球中運動的時間不同

C. 每個水球對子彈的沖量不同

D. 子彈在毎個水球中的動能變化相同

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】某人造衛(wèi)星繞地球做勻速圓周運動,其軌道半徑為r,運動速度為v,地球半徑為R,萬有引力常量為G。則( 。

A.地球平均密度可表示為

B.地球表面重力加速度可表示為

C.若人造衛(wèi)星半徑減小后,其穩(wěn)定圓周運動周期將減小

D.若人造衛(wèi)星半徑增大后,其穩(wěn)定圓周運動速度將增大

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】圖中的實線表示電場線,虛線表示只受電場力作用的帶電粒子的運動軌跡,粒子先經過M點,再經過N點。可以判定( 。

A. M點的電勢小于N點的電勢

B. 粒子帶正電,M點的電勢大于N點的電勢

C. 粒子在M點受到的電場力大于在N點受到的電場力

D. 粒子在M點的電勢能小于在N點的電勢能

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】下列說法正確的是( 。

A.盧瑟福的核式結構模型能夠解釋氫原子光譜的分立特征

B.根據(jù)玻爾模型,氫原子由基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)時電子運動的動能變小

C.溫度升高放射性元素半衰期變短

D.用頻率為的光照射某金屬,發(fā)出的某光電子的初動能為,該金屬的截止頻率為

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】一個含有理想變壓器的電路如圖所示,圖中L1、L2L3是完全相同的三個燈泡,燈泡的額定電壓為U0,U為正弦交流電源。當開關S閉合時,電路中的燈泡均能正常發(fā)光。下列說法正確的是( 。

A.理想變壓器原、副線圈匝數(shù)比為12

B.交流電源電壓有效值為2U0

C.交流電源電壓最大值為U0

D.若開關S斷開穩(wěn)定后,燈泡L2變暗

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】一物塊靜止在粗糙水平地面上,0~4s內所受水平拉力隨時間的變化關系圖像如圖甲所示,0~2s內速度圖像如圖乙所示。重力加速度g=10m/s2,關于物塊的運動。下列說法正確的是(  )

A.4s末物塊的速度為0B.4s內物塊的位移大小為6m

C.4s內拉力的沖量為0D.物塊與水平地面間的動摩擦因數(shù)為0.2

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,A、B、C三個小球(可視為質點)的質量分別為3m、2mm,B小球帶負電,電荷量為q。A、C兩小球不帶電(不考慮小球間的電荷感應),不可伸長的絕緣細線將三個小球連接起來懸掛在O,三個小球均處于豎直向上的勻強電場中,電場強度大小為E。則以下說法正確的是( )

A.靜止時,A、B兩小球間細線的拉力為3mg-qE

B.靜止時,A、B兩小球間細線的拉力為3mg+qE

C.剪斷O點與A小球間細線瞬間,AB兩小球間細線的拉力為

D.剪斷O點與A小球間細線瞬間,A、B兩小球間細線的拉力為

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】霍爾效應是電磁基本現(xiàn)象之一,近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展.如圖1所示,在一矩形半導體薄片的PQ間通入電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在MN間出現(xiàn)電壓UH,這個現(xiàn)象稱為霍爾效應,UH稱為霍爾電壓,且滿足UHk,式中d為薄片的厚度,k為霍爾系數(shù).某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數(shù).

(1)若該半導體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導電,電流與磁場方向如圖1所示,該同學用電壓表測量UH時,應將電壓表的“+”接線柱與______(MN”)端通過導線相連.

(2)已知薄片厚度d=0.40 mm,該同學保持磁感應強度B=0.10 T不變,改變電流I的大小,測量相應的UH值,記錄數(shù)據(jù)如下表所示.根據(jù)表中數(shù)據(jù)在圖2中畫出UHI圖線,利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)為______×103V·m·A1·T1(保留2位有效數(shù)字).

(3)該同學查閱資料發(fā)現(xiàn),使半導體薄片中的電流反向再次測量,取兩個方向測量的平均值,可以減小霍爾系數(shù)的測量誤差,為此該同學設計了如圖3所示的測量電路,S1,S2均為單刀雙擲開關,虛線框內為半導體薄片(未畫出).為使電流從Q端流入,P端流出,應將S1擲向________(ab”),S2擲向________(cd”).為了保證測量安全,該同學改進了測量電路,將一合適的定值電阻串聯(lián)在電路中.在保持其它連接不變的情況下,該定值電阻應串聯(lián)在相鄰器件________________(填器件代號)之間.

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