A. | ![]() | B. | ![]() | C. | ![]() | D. | ![]() |
分析 線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),受到安培力與重力兩個(gè)力作用,線框下落時(shí)高度不同,進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度不同,線框受到的安培力不同,則安培力可能大于重力、小于重力、等于重力,分情況討論線框的運(yùn)動(dòng)情況.
解答 解:A、線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),受到安培力與重力兩個(gè)力作用,線框下落時(shí)高度不同,進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度不同,線框受到的安培力不同,則安培力可能大于重力、小于重力、等于重力,等到完全進(jìn)入磁場(chǎng),安培力消失,線框做勻加速直線運(yùn)動(dòng),故A正確;
B、由A分析可得,線框不可能經(jīng)歷兩次勻加速,故B錯(cuò)誤;
C、由A分析知,安培力可能小于重力時(shí),做加速度減小的直線運(yùn)動(dòng),而后等到完全進(jìn)入磁場(chǎng),安培力消失,線框做勻加速直線運(yùn)動(dòng),故C正確;
D、由C分析可得,由A分析知,安培力可能大于重力時(shí),做加速度減小的減速直線運(yùn)動(dòng),而后等到完全進(jìn)入磁場(chǎng),安培力消失,線框做勻加速直線運(yùn)動(dòng),故D錯(cuò)誤;
故選:AC.
點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵要分析線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的受力情況,知道安培力與速度的關(guān)系,要考慮各種可能的情況,進(jìn)行討論分析.
年級(jí) | 高中課程 | 年級(jí) | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電流表的示數(shù)為√62A | B. | 副線圈中電流的最大值為2√2A | ||
C. | 副線圈中電流的有效值為√6A | D. | 電壓表的示數(shù)為10√6V |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
實(shí)驗(yàn)次數(shù) | v02(m2/s2) | s(cm) |
1 | 1.2 | 15.0 |
2 | 2.5 | 31.0 |
3 | 4.2 | 53.0 |
4 | 6.0 | 75.0 |
5 | 7.5 | 94.0 |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在圖示位ab邊所受的安培力為F=\frac{{{n^2}{B^2}l_1^2{l_2}ω}}{R+r} | |
B. | 線圈從圖示位置轉(zhuǎn)過90°的過程中,流過電阻R的電荷量為q=\frac{{nB{l_1}{l_2}}}{R+r} | |
C. | 在圖示位置穿過線圈的磁通量為0 | |
D. | 在圖示位置穿過線圈的磁通量的變化率為0 |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電子的電勢(shì)能增加了30eV | B. | 電子在B點(diǎn)的電勢(shì)能是50eV | ||
C. | B點(diǎn)的電勢(shì)為110V | D. | AB間的電勢(shì)差UAB為-30V |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 微粒帶正電 | B. | 微粒帶負(fù)電 | ||
C. | 電場(chǎng)力對(duì)微粒做正功 | D. | 微粒的電勢(shì)能增大 |
查看答案和解析>>
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com