A. | 用能量為10.3eV的光子照射,可使處于基態(tài)的氫原子躍遷到激發(fā)態(tài) | |
B. | 用能量為14.0eV的光子照射,可使處于基態(tài)的氫原子電離 | |
C. | 用能量為12.20eV的大量電子,去激發(fā)處于基態(tài)的大量氫原子后,可能輻射3種不同頻率的光子 | |
D. | 大量處于第4激發(fā)態(tài)的氫原子向低能級躍遷,可能輻射3種不同頻率的光子 | |
E. | 大量處于第4激發(fā)態(tài)的氫原子向低能級躍遷時(shí),輻射最低光子的能量為0.66eV |
分析 能級間發(fā)生躍遷吸收的光子能量能用兩能級間的能級差.基態(tài)的氫原子吸收的能量若大于等于13.61eV,則會(huì)發(fā)生電離.
解答 解:A、用能量為10.3eV的光子照射,若吸收該光子后能量為-3.31eV,不能發(fā)生躍遷,故A錯(cuò)誤.
B、用能量為14.0eV的光子照射,吸收光子能量后原子能量大于零,即基態(tài)的氫原子發(fā)生電離,故B正確.
C、用能量為12.20eV的大量電子,去激發(fā)處于基態(tài)的大量氫原子后,由于電子能量可能部分被吸收,則氫原子可能躍遷到第3能級,根據(jù)${C}_{3}^{2}=3$知,可能輻射3種不同頻率的光子,故C正確.
D、根據(jù)${C}_{4}^{2}=6$知,大量處于第4激發(fā)態(tài)的氫原子向低能級躍遷,可能輻射6種不同頻率的光子,故D錯(cuò)誤.
E、大量處于第4激發(fā)態(tài)的氫原子向低能級躍遷時(shí),由于n=4和n=3間的能級差最小,輻射的光子能量最小,最小光子能量為E=-0.85+1.51eV=0.66eV,故E正確.
故選:BCE.
點(diǎn)評 解決本題的關(guān)鍵知道能級間躍遷所滿足的規(guī)律,即Em-En=hv,知道原子發(fā)生電離的條件,難度不大.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 線圈中電流之比為2:1 | B. | 外力做功的功率之比為4:1 | ||
C. | 線圈中產(chǎn)生熱量之比為4:1 | D. | 通過導(dǎo)線橫截面電荷量之比為2:1 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 此船不可能渡過此河 | B. | 此船過河的最短時(shí)間為10s | ||
C. | 此船可能垂直到達(dá)正對岸 | D. | 此船的合速度可能為9m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 單色光a通過玻璃磚所需的時(shí)間大于單色光b通過玻璃磚所需的時(shí)間 | |
B. | 光束SA繞圓心O逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)過程中,光屏P上最早消失的是b光 | |
C. | 若a、b分別通過同一雙縫干涉裝置,則a產(chǎn)生的干涉條紋間距較小 | |
D. | 若a、b光都能使某金屬發(fā)生光電效應(yīng),則a光照射時(shí)產(chǎn)生光電子的最大初動(dòng)能較大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 谷種飛出洞口時(shí)的速度比癟谷飛出洞口時(shí)的速度大些 | |
B. | 谷種和癟谷飛出洞口后加速度不相同 | |
C. | 谷種和癟谷從飛出洞口到落地的時(shí)間不相同 | |
D. | N處是谷種,M處是癟谷 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在同種均勻介質(zhì)中,a光的傳播速度比b光的大 | |
B. | 從同種介質(zhì)射入真空發(fā)生全反射時(shí)a光臨界角大 | |
C. | 照射在同一金屬板上發(fā)生光電效應(yīng)時(shí),a光的飽和電流大 | |
D. | 若a光是氫原子從第6能級躍遷到第2能級發(fā)出的光,則b光可能是氫原子從第3能級躍遷到第2能級發(fā)出的光 |
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