【題目】如圖所示,MN、PQ兩平行水平導軌間距為l=0.5m,分別與半徑r=0.5m的相同豎直半圓導軌在N、Q端平滑連接,MP端接有R=3Ω的定值電阻。質量M=2kg的絕緣桿cd垂直靜止在水平導軌上,在其右側至NQ端的區(qū)域內充滿豎直向上的勻強磁場,磁感應強度為B=0.4T。現(xiàn)有質量m=1kg、電阻R0=1Ω的金屬桿ab,以初速度v0=12m/s水平向右與絕緣桿cd發(fā)生正碰后,進入磁場并最終未滑出,絕緣桿cd則恰好通過半圓導軌最高點。不計導軌電阻和摩擦,金屬桿ab始終與導軌垂直且接觸良好,a10m/s2,(不考慮桿cd通過半圓導軌最高點以后的運動)。求:

(1)cd通過半圓導軌最高點時的速度v的大小;

(2)正碰后桿ab的速度v1的大;

(3)ab剛進入磁場時感應電流I的大小、方向及其所受的安培力F的大。

(4)ab運動的過程中,電阻R產(chǎn)生的焦耳熱QR。

【答案】1m/s;(22m/s;(30.1A,方向從ba,0.02N;(41.5J

【解析】

(1) cd絕緣桿通過半圓導軌最高點時,由牛頓第二定律有

解得

(2)碰撞后cd絕緣桿滑至最高點的過程中,由動能定理有

解得碰撞后cd絕緣桿的速度

兩桿碰撞過程動量守恒,取向右為正方向,則有

解得碰撞后ab金屬桿的速度

(3 )ab剛進入磁場時感應電流

根據(jù)右手定則可知電流方向從ba

所受的安培力F的大小為

(4) ab金屬桿進入磁場后,由能量守恒定律有

電阻R產(chǎn)生的焦耳熱

解得

練習冊系列答案
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【題目】一定量的理想氣體從狀態(tài)a開始,經(jīng)歷三個過程ab、bcca回到原狀態(tài),其圖像如圖所示,下列判斷正確的是(  )

A.過程ac中氣體內能的增加等于吸收的熱量

B.過程bc中氣體既不吸熱也不放熱

C.過程ab中氣體吸收的熱量大于氣體內能的增加

D.a、bc三個狀態(tài)中,狀態(tài)a氣體的內能最小

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(2)0~2×10-2s 過程中,通過線圈橫截面的電荷量;

(3)0~3×10-2s 過程中,線圈產(chǎn)生的熱量。

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A.圖示時刻質點b的加速度正在增大

B.從圖示時刻開始,經(jīng)0.01s,質點b位于平衡位置上方,并向y軸正方向做減速運動

C.從圖示時刻開始,經(jīng)0.01s,質點a沿波傳播方向遷移了2m

D.若該波發(fā)生明顯的衍射現(xiàn)象,則它所遇到的障礙物或孔的尺寸一定比4m大得多

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【題目】如圖甲所示,質量為4kg的物體在水平推力作用下開始運動,推力F的大小隨位移x變化的情況如圖乙所示,物體與地面間的動摩擦因數(shù)為g10m/s2則( 。

A.物體先做加速運動,推力撤去后才開始做減速運動

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【題目】在電子技術中,科研人員經(jīng)常通過在適當?shù)膮^(qū)域施加磁場或電場束控制帶電粒子的運動。如圖所示,位于M板處的粒子源不斷產(chǎn)生質量為m、電荷量為q的粒子,粒子經(jīng)小孔S1不斷飄入電壓為U的加速電場,其初速度可視為零;然后經(jīng)過小孔S2射出后沿x軸方向從坐標原點O垂直于磁場方向進入x軸上方(含x軸正半軸)的有界勻強磁場控制區(qū),磁場的磁感應強度為B。粒子發(fā)生270°偏轉后離開磁場豎直向下打在水平放置的熒光屏上,已知N板到y軸、熒光屏到x軸的距離均為L,不考慮粒了重力及粒子間的相互作用。

l)求粒子在磁場中運動半徑的大小;

2)求粒子從N板射出到打在熒光屏上所需的時間;

3)實際上加速電壓的大小會在U±范圍內微小變化,粒子以不同的速度進入磁場控制區(qū)域,均能發(fā)生270°偏轉豎直打在熒光屏上,求有界磁場區(qū)域的最小面積S。

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