16．有關(guān)電場(chǎng)中某點(diǎn)的電勢(shì)，下列說(shuō)法中正確的是（　�。�
A．由放在該點(diǎn)的電荷所具有的電勢(shì)能的多少?zèng)Q定
B．由放在該點(diǎn)的電荷的電量多少來(lái)決定
C．與放在該點(diǎn)的電荷的正負(fù)有關(guān)
D．是電場(chǎng)本身的屬性，與放入該點(diǎn)的電荷情況無(wú)關(guān)

分析 電勢(shì)反映電場(chǎng)能的性質(zhì)，沿場(chǎng)強(qiáng)方向，電勢(shì)降低，電勢(shì)類似于重力場(chǎng)中的高度，具有相對(duì)性，與放入其中的試探電荷無(wú)關(guān)

解答 解：A、B、C、D、電勢(shì)反映電場(chǎng)能的性質(zhì)，電場(chǎng)中某點(diǎn)的電勢(shì)，與該點(diǎn)是否有電荷，電荷的正負(fù)及電荷量的大小無(wú)關(guān)，只決定于電場(chǎng)本身和零電勢(shì)位置的選取，故ABC錯(cuò)誤，D正確；
故選：D

點(diǎn)評(píng) 本題考查了電勢(shì)的定義，知道電勢(shì)反映電場(chǎng)能的性質(zhì)，具有相對(duì)性，與放入其中的試探電荷無(wú)關(guān)

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：選擇題

4．一定質(zhì)量氣體壓強(qiáng)保持不變，當(dāng)其熱力學(xué)溫度由T變成3T時(shí)，其體積由V變成（　　）
A．3VB．6VC．$\frac{V}{3}$D．$\frac{V}{6}$

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：解答題

7．如圖所示，為一透明材料做成的半圓柱形光學(xué)元件的橫截面，該透明材料的折射率為n=$\sqrt{2}$，半徑R=0.5m，讓一細(xì)光束垂直于AB邊界射入該光學(xué)元件中，要求光線經(jīng)半圓面全反射后能垂直AB面射出，求：
（Ⅰ）入射點(diǎn)距離圓心O的最小距離L；
（Ⅱ）當(dāng)入射點(diǎn)到圓心O的距離x在0＜x＜L的范圍內(nèi)變化時(shí)，求第一次從半圓面出射光線的折射角θ與x之間的關(guān)系．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：多選題

4．下列說(shuō)法中正確的是（　　）
A．對(duì)于一定質(zhì)量的理想氣體，如果壓強(qiáng)不變，體積增大，那么它一定從外界吸熱
B．當(dāng)液晶中電場(chǎng)強(qiáng)度不同時(shí)，液晶對(duì)不同顏色光的吸收強(qiáng)度不同
C．氣體分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能減少，氣體的壓強(qiáng)一定減小
D．可利用高科技手段，將流散的內(nèi)能全部收集加以利用，而不引起其他變化
E．即使氣體的溫度很高，仍有一些分子的運(yùn)動(dòng)速率是非常小的

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：多選題

11．如圖所示，x軸上固定兩個(gè)點(diǎn)電荷Q1、Q2（Q2位于坐標(biāo)原點(diǎn)O），其上有M、N、P三點(diǎn)，間距MN=NP．Q1、Q2在軸上產(chǎn)生的電勢(shì)φ隨x變化關(guān)系如圖．則（　�。�
A．N點(diǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小為零
B．M點(diǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小為零
C．M、N之間電場(chǎng)方向沿x軸正方向
D．一正試探電荷從P移到M過(guò)程中，電場(chǎng)力做功|WPN|=|WNM|

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：解答題

1．圖甲是利用兩個(gè)電流表A1（微安表）和A2（毫安表）測(cè)量干電池電動(dòng)勢(shì)E和內(nèi)阻r的電路原理圖，圖乙是已連接好的實(shí)物圖．圖中S為開關(guān)，R為滑動(dòng)變阻器．固定電阻Rl和A1內(nèi)阻之和為l0000Ω（比r和滑動(dòng)變阻器的總電阻都大得多），A2為理想電流表．

①在閉合開關(guān)S前，將滑動(dòng)變阻器的滑動(dòng)端c移動(dòng)至b（填“a端”、“中央”或“b端”）．
②閉合開關(guān)S，移動(dòng)滑動(dòng)變阻器的滑動(dòng)端c至某一位置，讀出電流表A1和A2的示數(shù)I1和I2．多次改變滑動(dòng)端c的位置，得到的數(shù)據(jù)為
I1（mA）0.1200.1250.1300.1350.1400.145
I2（mA）48040032023214068
在圖丙所示的坐標(biāo)紙上以I1為縱坐標(biāo)、I2為橫坐標(biāo)畫出所對(duì)應(yīng)的I1--I2曲線．
③利用所得曲線求得電源的電動(dòng)勢(shì)E=1.49V，內(nèi)阻r=0.60Ω．
④該電路中電源輸出的短路電流Im=2.5A．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：解答題

8．（1）寫出所給放射性元素的β衰變方程：${\;}_{83}^{244}$Bi（鉍核）
（2）寫出所給放射性元素的α衰變方程：${\;}_{90}^{234}$Th（釷核）
（3）已知釷234的半衰期是24天，1g釷經(jīng)過(guò)120天后還剩多少？
（注：衰變生成的新核均由X來(lái)表示）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：解答題

5．（1）用螺旋測(cè)微器測(cè)量金屬導(dǎo)線的直徑，其示數(shù)如圖1所示，該金屬導(dǎo)線的直徑為50.15mm．用20分度的游標(biāo)卡尺測(cè)量其長(zhǎng)度如圖2示數(shù)，可知其長(zhǎng)度為1.880mm．
（2）小燈泡通電后，其電流I隨所加電壓U變化的圖線如圖3所示，P為圖線上一點(diǎn)，PN為圖線的切線，PQ為U軸的垂線，PM為I軸的垂線，對(duì)應(yīng)P點(diǎn)，小燈泡的電阻為R=$\frac{{U}_{1}}{{I}_{2}}$．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：多選題

6．關(guān)于光電效應(yīng)，下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A．光電效應(yīng)是原子核吸收光子向外釋放電子的現(xiàn)象
B．光電流的強(qiáng)度與入射光的強(qiáng)度有關(guān)，且隨入射光的強(qiáng)度的增強(qiáng)而增強(qiáng)
C．金屬電子的逸出功與入射光的頻率成正比
D．用不可見光照射某金屬，不一定比用可見光照射同種金屬產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能大
E．對(duì)于任何一種金屬都存在一個(gè)極限波長(zhǎng)，入射光的波長(zhǎng)必須小于這個(gè)波長(zhǎng)，才能產(chǎn)生光電效應(yīng)

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