A. | $\sqrt{gR}$ | B. | $\sqrt{2gR}$ | C. | $\sqrt{3gR}$ | D. | 2$\sqrt{gR}$ |
分析 球欲回到拋出點(diǎn),與弧面的碰撞必須是垂直弧面的碰撞,根據(jù)平拋運(yùn)動的規(guī)律和幾何關(guān)系求解拋出點(diǎn)距AB弧圓心O的距離.由平拋運(yùn)動的規(guī)律求解小球與圓弧AB的內(nèi)壁碰撞時(shí)的速度大。
解答 解:小球欲回到拋出點(diǎn),與弧面的碰撞必須是垂直弧面的碰撞,即速度方向沿弧AB的半徑方向.設(shè)碰撞點(diǎn)和O的連線與水平夾角α,拋出點(diǎn)和碰撞點(diǎn)連線與水平夾角為β,如圖,則有:
由y=$\frac{1}{2}g{t}^{2}$=Rsinα,
得:t=$\sqrt{\frac{2Rsinα}{g}}$
豎直方向的分速度為:${v}_{y}=gt=\sqrt{2gRsinα}$
水平方向的分速度為:${v}_{0}=\sqrt{(2\sqrt{gR})^{2}-(\sqrt{2gRsinα})^{2}}$=$\sqrt{4gR-2gRsinα}$
又:tanα=$\frac{{v}_{y}}{{v}_{0}}=\frac{gt}{{v}_{0}}$
而:$tanβ=\frac{\frac{1}{2}g{t}^{2}}{{v}_{0}t}=\frac{gt}{2{v}_{0}}$
所以:tanα=2tanβ
所以物體沿水平方向的位移為:x=2Rcosα
又:x=v0t
聯(lián)立以上的方程可得:${v}_{0}=\sqrt{3gR}$.故ABD錯(cuò)誤,C正確.
故選:C
點(diǎn)評 該題中,由于拋出點(diǎn)的位置是不知道的,需要根據(jù)位移偏轉(zhuǎn)角的正切值與速度偏轉(zhuǎn)角的正切值之間的關(guān)系正確找到拋出點(diǎn)的位置,然后才能正確解答,對數(shù)學(xué)的知識要求較高,在解答的過程中要注意咀嚼、品味.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 重力G的反作用力作用在斜面上 | |
B. | FN和Ff的合力大于G的大小 | |
C. | 減小斜面傾角,F(xiàn)N和Ff的合力不變 | |
D. | 增大斜面傾角物塊A仍靜止,G,F(xiàn)N,F(xiàn)f這三個(gè)力的合力增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 因?yàn)閍點(diǎn)處沒有電場線,所以a點(diǎn)的電場強(qiáng)度為0 | |
B. | a、b、c三點(diǎn)的電場強(qiáng)度c點(diǎn)最大 | |
C. | 在a點(diǎn)放入電量為q的檢驗(yàn)電荷,若該檢驗(yàn)電荷所受電場力為F,則該點(diǎn)的場強(qiáng)大小為$\frac{F}{q}$ | |
D. | 若放置到c點(diǎn)的檢驗(yàn)電荷為-q,則該檢驗(yàn)電荷所受電場力方向與c點(diǎn)電場方向相同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 勻減速運(yùn)動 | |
B. | 速度向右,加速度向左 | |
C. | 速度一直減小,加速度一直增大 | |
D. | 速度先增大后減小,加速度先減小后增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 若污水中正離子較多,則前表面比后表面電勢高 | |
B. | 前表面的電勢一定低于后表面的電勢,與哪種離子多無關(guān) | |
C. | 電壓表的示數(shù)與污水中離子濃度無關(guān) | |
D. | 污水流量Q與U成正比,與a、b、c無關(guān) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體沿光滑斜面自由下滑 | |
B. | 物體作豎直上拋運(yùn)動 | |
C. | 拉著一個(gè)物體沿著光滑的斜面勻速上升 | |
D. | 物體作平拋運(yùn)動 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 小于4V | B. | 等于4V | C. | 大于4V、小于6V | D. | 等于或大于6V |
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