分析 (1)粒子從P點(diǎn)到O點(diǎn)做類平拋運(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式,抓住等時(shí)性求出勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小.
(2)根據(jù)平行四邊形定則求出粒子在O點(diǎn)的速度,因?yàn)榱W釉诖艌?chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),出磁場(chǎng)后做勻速直線運(yùn)動(dòng),所以N點(diǎn)的速度與O點(diǎn)的速度相等,粒子在N點(diǎn)的速度是P點(diǎn)的速度2倍,所以類平拋運(yùn)動(dòng)的時(shí)間是以前的二分之一,結(jié)合運(yùn)動(dòng)學(xué)公式求出豎直位移,從而得出N點(diǎn)的坐標(biāo).
(3)根據(jù)幾何關(guān)系得出粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑,結(jié)合半徑公式求出磁感應(yīng)強(qiáng)度的大。
解答 解:(1)設(shè)粒子從P到O時(shí)間為t,加速度為a,則L=v0t=$\sqrt{3}$m,
y=$\frac{1}{2}$at2=$\frac{3}{2}$m;
由牛頓第二定律,可得qE=ma
由以上三式,可解得:E=$\frac{1×1{0}^{-15}}{2×1{0}^{-16}}×100$=500V/m;
(2)設(shè)粒子運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)時(shí)速度為v,則:v=$\sqrt{{v}_{0}^{2}+2a×\frac{3}{2}}$=20m/s,
所以粒子從N到P的時(shí)間:t′=$\frac{1}{2}$t
沿y軸位移:h=$\frac{1}{2}$at′2=$\frac{1}{2}×100×(\frac{1}{2}×\frac{\sqrt{3}}{10})^{2}$=$\frac{3}{8}$m,
因此N點(diǎn)坐標(biāo)為(0,$\frac{15}{8}m$)
(3)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,設(shè)半徑為R.
粒子在O點(diǎn)時(shí)速度方向與y軸負(fù)方向的夾角為30°
由幾何關(guān)系可知:R+Rsin30°=$\frac{15}{8}m$,
又因?yàn)椋簈vB=m$\frac{{v}^{2}}{R}$ 解得 B=$\frac{mv}{qR}$=$\frac{1×1{0}^{-15}×20}{2×1{0}^{-16}×\frac{5}{4}}$=80T.
答:(1)勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為500V/m;
(2)N點(diǎn)的坐標(biāo)(0,$\frac{15}{8}m$);
(3)勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小80T.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵理清粒子整個(gè)過程中的運(yùn)動(dòng)規(guī)律,掌握處理類平拋運(yùn)動(dòng)和圓周運(yùn)動(dòng)的方法,作出運(yùn)動(dòng)軌跡,結(jié)合牛頓第二定律、運(yùn)動(dòng)學(xué)公式進(jìn)行求解.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 60V/m | B. | 600V/m | C. | 80V/m | D. | 800V/m |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在真空中,a光的傳播速度大于b光的傳播速度 | |
B. | 在玻璃中,a光的傳播速度大于b光的傳播速度 | |
C. | 如果同時(shí)增大入射角(入射角始終小于$\frac{π}{2}$),那么,a光在下表面先發(fā)生全反射 | |
D. | 對(duì)同一雙縫干涉實(shí)驗(yàn)裝置,a光的干涉條紋比b光的干涉條紋窄 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 繩拉力對(duì)物塊a做的功等于物塊a重力勢(shì)能的增加量 | |
B. | 物塊a到達(dá)c點(diǎn)時(shí)加速度為零 | |
C. | 繩拉力對(duì)物塊b做的功在數(shù)值上等于物塊b機(jī)械能的減少量 | |
D. | 繩拉力對(duì)物塊b先做負(fù)功后做正功 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在A、B兩點(diǎn)間串聯(lián)一只電阻R,穿過鐵芯的磁通量的最大變化率為0.2Wb/s | |
B. | 在A、B兩點(diǎn)間接入理想二極管,電壓表讀數(shù)為40V | |
C. | 在A、B兩點(diǎn)間接入一只電容器,只提高交流電頻率,電壓表讀數(shù)增大 | |
D. | 在A、B兩點(diǎn)間接入一只電感線圈,只提高交流電頻率,電阻R消耗電功率增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 質(zhì)點(diǎn)d開始振動(dòng)后的振動(dòng)周期為4s | |
B. | 這列波的波長(zhǎng)為4m | |
C. | t=4s時(shí)刻波恰好傳到質(zhì)點(diǎn)e | |
D. | t=5s時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)b到達(dá)最高點(diǎn) | |
E. | 在3s<t<4s這段時(shí)間質(zhì)點(diǎn)c的速度方向向上 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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