【題目】在排球場上，運動員將排球水平擊出，排球飛行一段時間后落地，不計空氣阻力，下列說法中正確的（　　）

A.排球落地時瞬時速度的大小僅由初速度決定

B.排球在空中運動的水平位移（即射程）僅由初速度決定

C.排球在空中運動的時間僅由擊球點離地面的高度決定

D.排球落地時瞬時速度的方向僅由擊球點離地面的高度決定

【答案】C

【解析】

AC．排球做平拋運動，如圖所示

落地時的瞬時速度的大小為

由

得

所以排球落地時瞬時速度的大小既與初速度有關，也與高度有關，而排球在空中運動的時間僅由擊球點離地面的高度決定，所以C正確，A錯誤；

BD．排球在空中運動的水平位移

所以排球在空中運動的水平位移與擊球點離地面的高度和球的初速度都有關。排球落地時瞬時速度的方向

又時間

所以

排球落地時瞬時速度的方向與擊球點離地面的高度和球的初速度都有關，所以BD錯誤。

故選C。

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，MN、PQ是兩根足夠長的光滑平行金屬導軌，導軌間距為L=0.5m，導軌所在平面與水平面夾角θ=37°，M、P間接阻值為R=9Ω的電阻。勻強磁場的方向與導軌所在平面垂直，磁感應強度大小為B=2T。質(zhì)量為m=0.1kg、阻值為r=1Ω的金屬棒放在兩導軌上，在平行于導軌的恒定拉力F=1N作用下，從靜止開始向上運動。已知金屬棒與導軌始終垂直并且保持良好接觸，導軌電阻不計，導軌和磁場足夠大，重力加速度為g=10m/s2。求：

（1）當金屬棒的速度為2m/s2時的加速度；

（2）金屬棒能獲得的最大速度；

（3）若金屬棒從開始運動到獲得最大速度在導軌上滑行的距離是2.5m，求這一過程中R上產(chǎn)生的焦耳熱。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】下列說法正確的是(　　)

A.電流是矢量，其方向為正電荷定向移動的方向

B.由R=可知，導體的電阻與導體兩端的電壓成正比，與流過導體的電流成反比

C.由I=知，導體中的電流跟導體兩端的電壓成正比，跟導體的電阻成反比

D.金屬的電阻率由導體本身的性質(zhì)決定，與溫度無關

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，ab、cd為足夠長、水平放置的光滑固定導軌，導體棒MN的長度為L=2m，電阻，有垂直abcd平面向下的勻強磁場，磁感強度B=1.5T，定值電阻，，當導體棒MN以v=4m/s的速度向左做勻速直線運動時，電流表的示數(shù)為0.45A，燈L正常發(fā)光.求：

（1）棒切割磁感線產(chǎn)生的感應電動勢和燈L的額定電壓；

（2）維持桿勻速運動的外力功率為多大；

（3）正常發(fā)光時燈L的電阻值.

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，足夠?qū)挻蟮乃綄嶒炞烂?/span>Q的正中央的正上方距離桌面h=0.80m的P處有一個粒子源，該粒子源射出的帶電粒子初速度大小均為v0=2.0×102m/s、初速度方向為所在水平面的所有方向以及水平以下的所有方向，射出的帶電粒子質(zhì)量為m=2.0×10-15kg、電荷量為q=＋10-12C，現(xiàn)在整個空間加一個豎直向下的勻強電場，電場強度大小E=1.0×102V/m，結果粒子源射出的粒子最終都落在實驗桌面Q上。不計粒子重力，不計粒子之間的相互作用以及粒子對勻強電場的影響，打在桌面上的粒子均鑲嵌在桌面內(nèi)，不反彈也不穿過桌面。求(結果保留2位有效數(shù)字)：

(1)粒子打在實驗桌上時的動能；

(2)實驗桌上被粒子擊中的區(qū)域的面積。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，勻強電場的場強E=3×105V/m，A、B兩點相距0.2m，兩點連線與電場的夾角是60°，下列說法正確的是（ ）

A. 電荷量q=+2×10-4C的電荷從A點運動到B點電勢能增大6J

B. 電荷量q=-2×10-4C的電荷從A點運動到B點電場力做功為-6J

C. 若取A點的電勢為0，則B點的電勢φB=3×104V

D. A、B兩點間的電勢差是UAB=6×104V

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，一質(zhì)量m1=0.45kg的平板小車靜止在光滑的水平軌道上，車頂右端放一質(zhì)量m2=0.2kg的小物體，小物體可視為質(zhì)點�，F(xiàn)有一質(zhì)量m0=0.05kg的子彈以水平速度v0=100m/s射中小車左端，并留在車中，最終小物塊以5m/s的速度與小車脫離。子彈與車相互作用的時間很短，g取10m/s2。

求：（1）子彈剛剛射入小車時，小車的速度大�。�

（2）小物塊脫離小車時，系統(tǒng)產(chǎn)生的總內(nèi)能。

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【題目】霍爾效應是電磁基本現(xiàn)象之一，近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展．如圖1所示，在一矩形半導體薄片的P，Q間通入電流I，同時外加與薄片垂直的磁場B，在M，N間出現(xiàn)電壓UH，這個現(xiàn)象稱為霍爾效應，UH稱為霍爾電壓，且滿足UH＝k，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數(shù)．某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數(shù)．

(1)若該半導體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導電，電流與磁場方向如圖1所示，該同學用電壓表測量UH時，應將電壓表的“＋”接線柱與______(填“M”或“N”)端通過導線相連．

(2)已知薄片厚度d＝0.40 mm，該同學保持磁感應強度B＝0.10 T不變，改變電流I的大小，測量相應的UH值，記錄數(shù)據(jù)如下表所示．根據(jù)表中數(shù)據(jù)在圖2中畫出UH—I圖線，利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)為______×10－3V·m·A－1·T－1(保留2位有效數(shù)字).

(3)該同學查閱資料發(fā)現(xiàn)，使半導體薄片中的電流反向再次測量，取兩個方向測量的平均值，可以減小霍爾系數(shù)的測量誤差，為此該同學設計了如圖3所示的測量電路，S1，S2均為單刀雙擲開關，虛線框內(nèi)為半導體薄片(未畫出)．為使電流從Q端流入，P端流出，應將S1擲向________(填“a”或“b”)，S2擲向________(填“c”或“d”)．為了保證測量安全，該同學改進了測量電路，將一合適的定值電阻串聯(lián)在電路中．在保持其它連接不變的情況下，該定值電阻應串聯(lián)在相鄰器件________和________(填器件代號)之間．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示為一真空示波管的示意圖，電子從燈絲K發(fā)出(初速度可忽略不計)，經(jīng)燈絲與A板間的電壓U1加速，從A板中心孔沿中心線KO射出，然后進入兩塊平行金屬板M、N形成的偏轉電場中(偏轉電場可視為勻強電場)，電子進入M、N間電場時的速度與電場方向垂直，電子經(jīng)過偏轉電場后打在熒光屏上的P點．已知M、N兩板間的電壓為U2，兩板間的距離為d，板長為L，電子的質(zhì)量為m，電荷量為e，不計電子受到的重力及它們之間的相互作用力．求

(1)求電子穿過A板時速度的大小；

(2)求電子從偏轉電場射出時的側移量；

(3)若要使電子打在熒光屏上P點的上方，可采取哪些措施？

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