如圖B-1所示，虛線a、b、c代表電場中三個(gè)等勢面，相鄰等勢面之間的電勢差相同.實(shí)線為一帶正電的質(zhì)點(diǎn)僅在電場力作用下通過該區(qū)域的運(yùn)動軌跡，途中依次通過軌跡上的P、Q兩點(diǎn)，由此比較可知（ ）
A.三個(gè)等勢面中，c等勢面電勢高
B.帶電質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時(shí)電勢能較大
C.帶電質(zhì)點(diǎn)通過Q點(diǎn)時(shí)動能較大
D.帶電質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時(shí)加速度較大

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

K－介子衰變的方程為K－→π－＋π0，其中K－介子和π－介子帶負(fù)的元電荷e，π0介子不帶電.如圖15-1所示，兩勻強(qiáng)磁場方向相同，以虛線MN為理想邊界，磁感應(yīng)強(qiáng)度分別為B1、B2.今有一個(gè)K－介子沿垂直于磁場的方向射入勻強(qiáng)磁場B1中，其軌跡為圓弧AP，P在MN上，K－在P點(diǎn)時(shí)的速度為v，方向與MN垂直.在P點(diǎn)該介子發(fā)生了上述衰變.衰變后產(chǎn)生的π－介子沿v反方向射出，其運(yùn)動軌跡為如圖虛線所示的“心”形圖線.則以下說法正確的是(　　)

圖15-1

A.π－介子的運(yùn)行軌跡為PENCMDP

B.π－介子運(yùn)行一周回到P用時(shí)為

C.B1＝4B2

D.π0介子做勻速直線運(yùn)動

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科目：高中物理 來源： 題型：

K－介子衰變的方程為K－→π－＋π0，其中K－介子和π－介子帶負(fù)的元電荷e，π0介子不帶電.如圖15-1所示，兩勻強(qiáng)磁場方向相同，以虛線MN為理想邊界，磁感應(yīng)強(qiáng)度分別為B1、B2.今有一個(gè)K－介子沿垂直于磁場的方向射入勻強(qiáng)磁場B1中，其軌跡為圓弧AP，P在MN上，K－在P點(diǎn)時(shí)的速度為v，方向與MN垂直.在P點(diǎn)該介子發(fā)生了上述衰變.衰變后產(chǎn)生的π－介子沿v反方向射出，其運(yùn)動軌跡為如圖虛線所示的“心”形圖線.則以下說法正確的是(　　)

圖15-1

A.π－介子的運(yùn)行軌跡為PENCMDP

B.π－介子運(yùn)行一周回到P用時(shí)為

C.B1＝4B2

D.π0介子做勻速直線運(yùn)動

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖30-1所示，虛線上方有場強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場，方向豎直向下，虛線上下有磁感強(qiáng)度相同的勻強(qiáng)磁場，方向垂直紙面向外。ab是一根長L的絕緣細(xì)桿，沿電場線放置在虛線上方的場中，b端在虛線上。將一套在桿上的舉正電小球從a端由靜止釋放后，小球先是加速運(yùn)動，后是勻速運(yùn)動則達(dá)b端。已知小球與絕緣桿間的動因摩擦數(shù)μ=0.3，小球的重力可忽略不計(jì)。當(dāng)小球脫離桿進(jìn)入虛線下方后，運(yùn)動軌跡是半圓，圓半徑為L/3。求：帶電小球以 a到b運(yùn)動過程中克服摩擦力做的功與電場力所做功的比值。

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科目：高中物理 來源： 題型：

為了使帶負(fù)電的點(diǎn)電荷q在一勻強(qiáng)電場中沿著直線勻速地由A運(yùn)動到B，必須加一個(gè)恒力F，如圖B-7所示，若AB=0.4m，α=37°，q=-3×10-7C，F(xiàn)=1.5×10-4N，A點(diǎn)的電勢UA=100V.（不計(jì)負(fù)電荷的重力）
（1）在圖B-7中用實(shí)線畫出電場線，用虛線畫出通過A、B兩點(diǎn)的等勢線，并標(biāo)明它們的電勢.
（2）求q在由A到B的過程中電勢能的變化量是多少？

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