分析 (1)由幾何知識(shí)求出粒子軌道半徑,由牛頓第二定律求出距離L;
(2)粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),由圓周運(yùn)動(dòng)的周期公式與類平拋運(yùn)動(dòng)知識(shí)求出粒子的運(yùn)動(dòng)時(shí)間;
(3)由幾何知識(shí)求出磁場區(qū)域的最小面積.
解答 解:(1)粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,
設(shè)粒子在勻強(qiáng)磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為R
由牛頓第二定律得:$qBv=\frac{{m{v^2}}}{R}$,
由幾何關(guān)系得:L=2Rsinθ,
已知:v=$\frac{E}{B}$,
解得:L=$\frac{mE}{{q{B^2}}}$;
(2)設(shè)粒子在勻強(qiáng)磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T,$T=\frac{2πm}{qB}$
由圖可知,粒子的初速度的方向與磁場的邊界之間的夾角是30°,由運(yùn)動(dòng)的對(duì)稱性可知,粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的過程中的偏轉(zhuǎn)角是60°,粒子在勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t1:${t}_{1}=\frac{60°}{360°}T=\frac{1}{6}T$,
由對(duì)稱性可知,粒子過MO后方向垂直于電場方向,所以粒子做類平拋運(yùn)動(dòng),設(shè)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t2,
則:x=vt2
$y=\frac{1}{2}\frac{qE}{m}{t_2}^2$
由幾何知識(shí)可知:y=xtanθ,
則粒子自M進(jìn)入磁場至O所用的時(shí)間t=t1+t2
代入數(shù)據(jù)解得:t=$\frac{{(2\sqrt{3}+π)}}{3}\frac{m}{qB}$;
(3)由題意可知,磁場范圍的最小面積△S是粒子在磁場中的軌跡與MD所圍成的面積.
扇形的面積:$S=\frac{1}{6}π{R^2}$,
三角形的面積為:$S'=\frac{1}{2}{R^2}cos{30^0}=\frac{{\sqrt{3}}}{4}{R^2}$
又△S=S-S',
聯(lián)立得:△S=$(\frac{π}{6}-\frac{{\sqrt{3}}}{4})\frac{{{m^2}{E^2}}}{{{q^2}{B^4}}}$;
答:(1)MD的距離L=$\frac{mE}{{q{B^2}}}$.
(2)粒子自M點(diǎn)射入磁場至到達(dá)O點(diǎn)所用的時(shí)間t=$\frac{{(2\sqrt{3}+π)}}{3}\frac{m}{qB}$.
(3)磁場區(qū)域的最小面積為:$(\frac{π}{6}-\frac{{\sqrt{3}}}{4})\frac{{{m^2}{E^2}}}{{{q^2}{B^4}}}$.
點(diǎn)評(píng) 做好此類題目的關(guān)鍵是準(zhǔn)確的畫出粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡圖,利用幾何知識(shí)求出粒子運(yùn)動(dòng)的半徑,再結(jié)合半徑公式和周期公式去分析.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 與輸送的電壓的平方成正比 | |
B. | 與輸送的電流的平方成正比 | |
C. | 與輸送的電壓的平方成反比 | |
D. | 與輸電導(dǎo)線上的電壓降的平方成正比 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 人動(dòng)量變化的時(shí)間 | B. | 人受到的沖量 | ||
C. | 人的動(dòng)量變化量 | D. | 人的動(dòng)量變化率 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 帶電質(zhì)點(diǎn)在P點(diǎn)的加速度比在Q點(diǎn)的加速度小 | |
B. | 帶電質(zhì)點(diǎn)在P點(diǎn)的電勢(shì)能比在Q點(diǎn)的大 | |
C. | 帶電質(zhì)點(diǎn)在P點(diǎn)的動(dòng)能大于在Q點(diǎn)的動(dòng)能 | |
D. | P、R、Q三點(diǎn),P點(diǎn)處的電勢(shì)最高 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 由公式F向=mrω2可知F向與r成正比 | |
B. | 由公式F向=m$\frac{v^2}{r}$可知F向與r成反比 | |
C. | 根據(jù)萬有引力公式F引=G$\frac{Mm}{r^2}$和F向=F引可知F向與r2成反比 | |
D. | 以上說法均不對(duì) |
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