A. | 小物塊上滑時(shí)加速度大小比下滑時(shí)小 | |
B. | 小物塊上滑時(shí)間比下滑時(shí)間長 | |
C. | 根據(jù)題中條件可求出物塊與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù) | |
D. | 根據(jù)題中條件可求出物塊沿斜面上滑的最大距離 |
分析 物體在斜面上上滑和下滑時(shí),根據(jù)牛頓第二定律求得加速度,即可判斷大小,利用運(yùn)動(dòng)學(xué)位移公式分析上滑與下滑的時(shí)間關(guān)系.運(yùn)用速度位移公式分析能否求出摩擦因數(shù)及物塊沿斜面上滑的最大距離.
解答 解:A、斜面粗糙,物塊在運(yùn)動(dòng)過程中受到滑動(dòng)摩擦力作用.在上滑過程中,根據(jù)牛頓第二定律可得 mgsinθ+μmgcosθ=ma1,解得 a1=gsinθ+μgcosθ
在下滑過程中,根據(jù)牛頓第二定律可知,mgsinθ-μmgcosθ=ma2,解得:a2=gsinθ-μgcosθ,則a1>a2.即小物塊上滑時(shí)加速度大小比下滑時(shí)大,故A錯(cuò)誤;
B、上滑和下滑的位移大小相等,根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)公式x=$\frac{1}{2}$at2可知,小物塊上滑時(shí)間比下滑時(shí)間短,故B錯(cuò)誤;
C、在上滑過程中,根據(jù)速度位移公式可知:2a1x=v02,
下滑階段:2a2x=v2.
結(jié)合a1=gsinθ+μgcosθ,a2=gsinθ-μgcosθ,聯(lián)立可得 μ=$\frac{{v}_{0}^{2}-{v}^{2}}{{v}_{0}^{2}+{v}^{2}}$tanθ,所以可求得物塊與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù).
因此可求得a1,由2a1x=v02,可得物塊上滑的最大位移x,故CD正確;
故選:CD
點(diǎn)評(píng) 本題主要考查了牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式,關(guān)鍵是分清物體的運(yùn)動(dòng)過程及受力分析即可判斷.對(duì)于CD兩項(xiàng),也可以根據(jù)動(dòng)能定理列式分析.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | EpA=W | B. | EpA=-W | C. | φA=$\frac{W}{q}$ | D. | φA=-$\frac{W}{q}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 墻面對(duì)A的彈力變小 | B. | 斜面對(duì)B的彈力變大 | ||
C. | 推力F變小 | D. | 兩小球之間的距離變小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電源供電的外部電路中,電流的方向是從高電勢一端流向低電勢一端 | |
B. | 電源內(nèi)部,電流的方向是從高電勢一端流向低電勢一端 | |
C. | 電子運(yùn)動(dòng)形成的等效電流方向與電子運(yùn)動(dòng)方向相同 | |
D. | 電容器充電時(shí),電流從負(fù)極板流出,流入正極板 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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