(2008?上海)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置.
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求所有釋放點(diǎn)的位置.
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)
Ln
(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.
分析:(1)、此問(wèn)分為兩個(gè)過(guò)程,一是在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域的加速運(yùn)動(dòng),運(yùn)用能量的關(guān)系可求出加速后的速度;二是在電場(chǎng)Ⅱ區(qū)域內(nèi)的偏轉(zhuǎn),運(yùn)用類(lèi)平拋的知識(shí)可求出偏轉(zhuǎn)距離,從而得到電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置.
(2)、首先設(shè)出釋放點(diǎn)的坐標(biāo),在運(yùn)用在電場(chǎng)I中的加速和在電場(chǎng)II中的類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),計(jì)算出表示xy的乘積的方程,滿(mǎn)足此式的點(diǎn)即為符合要求的點(diǎn).
(3)、該問(wèn)分為三個(gè)階段,一是在電場(chǎng)I中的直線加速運(yùn)動(dòng),二是在電場(chǎng)II中的類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),三是從電場(chǎng)II射出后的勻速直線運(yùn)動(dòng),結(jié)合第二問(wèn)的解題思路,可求出結(jié)果.
解答:解:(1)設(shè)電子的質(zhì)量為m,電量為e,在電場(chǎng)I中釋放后將做出速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),出區(qū)域I時(shí)的速度為vo,接著進(jìn)入電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),假設(shè)電子從CD邊射出,出射點(diǎn)縱坐標(biāo)為y,對(duì)電子的整個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程運(yùn)用動(dòng)能定理和勻變速直線運(yùn)動(dòng)公式有:eEL=
1
2
mv2

(
L
2
-y)=
1
2
 at2=
1
2
eE
m
(
L
v0
)
2

以上兩式聯(lián)立解得:y=
1
4
L
,所以原假設(shè)成立,即電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,
1
4
L
).
(2)設(shè)釋放點(diǎn)在電場(chǎng)區(qū)域I中,其坐標(biāo)為(x,y),在電場(chǎng)I中電子被加速到v1,然后進(jìn)入電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),并從D點(diǎn)離開(kāi),有:eEx=
1
2
m
v
2
1

        y=
1
2
at2=
1
2
eE
m
(
L
v1
)2

以上兩式聯(lián)立解得:xy=
L2
4
,即在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)滿(mǎn)足方程的點(diǎn)即為所求位置.
(3)設(shè)電子從(x,y)點(diǎn)釋放,在電場(chǎng)I中加速到v2,進(jìn)入電場(chǎng)II后做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),在高度為y′處離開(kāi)電場(chǎng)II時(shí)的情景與(2)中類(lèi)似,然后電子做勻速直線運(yùn)動(dòng),經(jīng)過(guò)D點(diǎn),則有:
eEx=
1
2
m
v
2
2

y-y′=
1
2
at2=
1
2
eE
m
(
L
v2
)2

vy=at=
eEL
mv2

y′=vy
L
nv2

以上各式解得:xy=L2(
1
2n
+
1
4
)
,即在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)滿(mǎn)足方程的點(diǎn)即為所求位置.
答:(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子從(-2L,
1
4
L
)離開(kāi)ABCD區(qū)域.
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),所有釋放點(diǎn)為滿(mǎn)足xy=
L2
4
的位置.
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)
L
n
(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置為xy=L2(
1
2n
+
1
4
)
點(diǎn)評(píng):(2008?上海) 本題考核了帶電粒子在簡(jiǎn)化的電子槍模型中的運(yùn)動(dòng)情況,是一道拓展型試題,與常見(jiàn)題所不同的是,一般試題是已知電子的出發(fā)點(diǎn),然后求電子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的軌跡或離開(kāi)電場(chǎng)的出射點(diǎn)位置,而本題則是反其道而行之,是規(guī)定了電子的出射點(diǎn),要反推出在何處發(fā)出電子才能滿(mǎn)足所述要求.從內(nèi)容看,該題涉及的是電子在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),這部分知識(shí)學(xué)生相對(duì)比較熟悉,也是經(jīng)常訓(xùn)練的題型之一,只不過(guò)本題作了拓展.
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mgsinθ
mgsinθ
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增大
增大
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-2.5×10-8
-2.5×10-8
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電(選填寫(xiě)“正”或“負(fù)”);若改用紅外線重復(fù)上實(shí)驗(yàn),結(jié)果發(fā)現(xiàn)驗(yàn)電器指針根本不會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn),說(shuō)明金屬鋅的極限頻率
大于
大于
紅外線(選填“大于”或“小于”).

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