【題目】如圖為模擬遠距離輸電的部分測試電路，a、b端接電壓穩(wěn)定的正弦交變電源，定值電阻阻值分別為R1、R2，且R1<R2，理想變壓器的原、副線圈匝數(shù)比為k且k<1，電流表、電壓表均為理想表，其示數(shù)分別用I和U表示。當(dāng)向下調(diào)節(jié)滑動變阻器的滑動端P時，電流表、電壓表示數(shù)變化分別用ΔI和ΔU表示。則以下說法正確的是（　�。�

A.

B.原線圈兩端電壓U1一定變小

C.電源的輸出功率一定增大

D.R1消耗的功率一定增加

A.納米材料對手機的作用力方向一定豎直向上

B.手機受到的摩擦力大小大于Gsinθ

C.手機受到的支持力大小為Gcosθ

D.納米材料對手機的作用力大小為G

A.所有繞地球做勻速圓周運動的人造地球衛(wèi)星的運行周期都應(yīng)小于

B.所有繞地球做勻速圓周運動的人造地球衛(wèi)星的運行速度都不超過

C.所有衛(wèi)星軌道都為圓形

D.地球同步衛(wèi)星可相對地面靜止在廣州的正上空

A.在同種均勻介質(zhì)中，a光的傳播速度比b光的大

B.從同種介質(zhì)射入真空發(fā)生全反射時a光臨界角大

C.照射在同一金屬板上發(fā)生光電效應(yīng)時，a光的飽和電流大

D.若兩光均由氫原子能級躍遷產(chǎn)生，產(chǎn)生a光的能級能量差大

A.一節(jié)全新的5號干電池（電動勢E=1.5V，內(nèi)阻不計）

B.電流表A1（量程0~10mA，內(nèi)阻為25Ω）

C.電流表A2（量程0~100mA，內(nèi)阻為2.5Ω）

D.滑動變阻器R1（0~30Ω）

E.滑動變阻器R2（0~3Ω）

F.定值電阻R3（117.5Ω）

G.定值電阻R4（120Ω）

H.定值電阻R5（147.5Ω）

L.單刀雙擲開關(guān)S，一對表筆及若干導(dǎo)線

(1)圖中電流表應(yīng)選用__（選填“B”或“C”），滑動變阻器應(yīng)選用____（選填“D”或“E”），定值電阻R0應(yīng)選_____（選填“F"“G"或“H”）；

(2)在正確選用器材的情況下，正確連接好實驗電路。若電流表滿偏電流為Ig，則電阻刻度盤上指針指在處應(yīng)標(biāo)上__。（填寫具體數(shù)值）以上四空答案依次是__

A.B、E、G、5Ω

B.C、D、H、5Ω

C.B、D、G、50Ω

D.C、E、H、50Ω

A. P的速度一直減小

B. 傳送帶對P做功的功率一直減小

C. 傳送帶對P做的功W<μmgd

D. 彈簧的彈性勢能變化量△Ek=mv2+μmgd

【題目】如圖所示，兩平行板間有垂直紙面向里的勻強磁場，磁感應(yīng)強度為B，板長為L，兩板間距離為L。有一個帶電量為q、質(zhì)量為m的粒子，以水平速度v，從靠近上板邊緣處進入該磁場，粒子恰能從下極板右側(cè)邊緣離開磁場，不計粒子重力。則（　　）

A.該粒子帶正電

B.該粒子做勻變速曲線運動

C.該粒子在磁場中運動的時間為

D.該粒子離開磁場時速度偏轉(zhuǎn)角為

【題目】如圖所示，由同種材料制成，粗細均勻，邊長為L、總電阻為R的單匝正方形閉合線圈 MNPQ放置在水平面上，空間存在方向豎直向下、磁感應(yīng)強度大小為B的有界勻強磁場，磁場兩邊界成θ=角�，F(xiàn)使線圈以水平向右的速度ν勻速進入磁場，則（　�。�

A.當(dāng)線圈中心經(jīng)過磁場邊界時，P點的電勢比N點高

B.當(dāng)線圈中心經(jīng)過磁場邊界時，N、P兩點間的電勢差U=BLv

C.當(dāng)線圈中心經(jīng)過磁場邊界時，線圈所受安培力大小

D.線圈從開始進入磁場到其中心經(jīng)過磁場邊界的過程中，通過導(dǎo)線某一橫截面的電荷量

A.過網(wǎng)時球1的速度小于球2的速度

B.球1的飛行時間大于球2的飛行時間

C.落在臺上起跳時，球1的重力功率等于球2的重力功率

D.球1的速度變化率小于球2的速度變化率

【題目】A、B、C三點構(gòu)成等邊三角形，邊長為2cm，勻強電場方向與ABC構(gòu)成的平面的夾角為，電勢φA=φB=4V，φC=1V，下列說法正確的是（　�。�

A.勻強電場場強大小為200V/m

B.勻強電場場強大小為100V/m

C.將一個正電荷從A點沿直線移到C點，它的電勢能一直增大

D.將一個正電荷從A點沿直線移到B點，它的電勢能先增大后減小