20.目前,載人宇宙飛船返回艙的回收常采用強制減速的方法,返回艙的整個運動過程可以簡化為這樣幾個階段:第一階段,在返回艙進入大氣層的過程中,返回艙在大氣阻力和重力的共同作用下勻速下降。第二階段,返回艙到了離地一定高度時打開降落傘使返回艙以較低的速度勻速落下。第三階段,在返回艙接近地面時點燃反沖火箭使返回艙做勻減速運動直至落地。關(guān)于這三個階段,下面說法中正確的是 ( )
A.第一階段返回艙機械能隨高度均勻減少
B.第二階段返回艙的動量隨高度均勻減少
C.第三階段返回艙的動量隨高度均勻減少
D.這三階段中返回艙的動能都是隨高度均勻地減少
19.如圖3所示,在xOy坐標(biāo)系中,將一負檢驗電荷q由y軸上a點移動到x軸上b點時,需克服電場力做功W1,若從a點移到x軸上c點時,需克服電場力做功W2,已知W1>W2。那么關(guān)于此空間存在的靜電場可能是( )
A.處于第Ⅰ象限某一位置的正點電荷形成的電場
B.處于第Ⅲ象限某一位置的負點電荷形成的電場
C.存在方向沿y軸正方向的勻強電場
D.存在方向沿x軸負方向的勻強電場
18.振源以原點O為平衡位置,沿y軸方向做簡諧運動,它激發(fā)的簡諧波在x軸上沿正負兩個方向傳播,在某一時刻沿x軸正向傳播的波形如圖5所示。圖中所示的各個質(zhì)點中,振動情況始終與原點的左方的質(zhì)元P的振動情況相同的是 ( )
A.a點 B.b點 C.c點 D.d點
17.如圖1所示,在磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場區(qū)域中有一個由均勻?qū)Ь制成的單匝矩形線框abcd,線框在水平拉力作用下向右運動,磁場方向垂直于紙面向里,線框邊長ad=l,cd=2l。線框?qū)Ь的總電阻為R。則線框以恒定的速度v沿垂直磁場方向離開磁場的過程中
①線框中的電流在ab邊產(chǎn)生的熱量為
②線框中的電流在ad邊產(chǎn)生的熱量為
③ab間的電壓為
④ad間的電壓為
以上選項正確的是 ( )
A.①③ B.②③ C.①④ D.②④
16.關(guān)于一定質(zhì)量氣體的狀態(tài)變化,以下過程可能實現(xiàn)的是 ( )
A.絕熱的氣缸內(nèi)的氣體被壓縮,內(nèi)能保持不變
B.氣體等溫膨脹的過程中,壓強保持不變
C.氣體溫度升高而保持體積不變
D.氣體的壓強增大體積不變,且內(nèi)能保持不變
15.輕桿的一端固定著小球,使輕桿以另一端為圓心在豎直面內(nèi)做圓周運動。當(dāng)小球運動到圓周的最高點時的速度恰好為零,則以下判斷正確的是 ( )
A.輕桿對小球的作用力等于小球的重力,小球處于超重狀態(tài)
B.輕桿對小球的作用力與小球的重力的合力為零,小球處于平衡狀態(tài)
C.輕桿對小球的作用力與小球的重力的合力為零,小球處于失重狀態(tài)
D.輕桿對小球的作用力為零,小球處于失重狀態(tài)
14.關(guān)于電磁波的特性,以下說法中正確的是 ( )
A.光的干涉和衍射現(xiàn)象說明了光不僅具有波動性,而且具有粒子性
B.無線電波的波長較長,所以發(fā)生干涉和衍射現(xiàn)象比X射線更困難一些
C.光電效應(yīng)的實驗結(jié)論說明了光的能量量子性
D.雙縫干涉現(xiàn)象是可見光所特有的現(xiàn)象,無線電波不會產(chǎn)生雙縫干涉現(xiàn)象
13.質(zhì)子和中子的質(zhì)量分別為m1和m2,當(dāng)這兩種核子結(jié)合成氘核時,產(chǎn)生能量E,并以γ射線的形式放出。已知普朗克恒量為h,真空中的光速為c,則氘核的質(zhì)量和γ射線的頻率的表達式分別為 ( )
A.; B.;
C.; D.;
24.(20分)如圖9所示,在水平地面上放置一塊質(zhì)量為M的長平板B,在平板的上方某一高度處有一質(zhì)量為m的物塊P由靜止開始落下。在平板上方附近存在“相互作用”的區(qū)域(如圖中虛線所示區(qū)域),當(dāng)物塊P進入該區(qū)域內(nèi),B便會對P產(chǎn)生一個豎直向上的恒力f作用,使得P恰好不與B的上表面接觸,且f=kmg,其中k=11。在水平方向上P、B之間沒有相互作用力。已知平板與地面間的動摩擦因數(shù)μ=2.0×10-3,平板和物塊的質(zhì)量之比M/m=10。在P開始下落時,平板B向右運動的速度v0=1.0m/s,P從開始下落到進入相互作用區(qū)域經(jīng)歷的時間t0=2.0s。設(shè)平板B足夠長,保證物塊P總能落到B板上方的相互作用區(qū)域內(nèi),忽略物塊P受到的空氣阻力,取重力加速度g=10m/s2。求:
(1)物塊P從開始下落到再次回到初始位置所經(jīng)歷的時間。
(2)從物塊P開始下落到平板B的運動速度減小為零的這段時間內(nèi),P能回到初始位置的次數(shù)。
23.(18分) 如圖8所示,位于豎直平面內(nèi)的矩形平面單匝導(dǎo)線框abcd,其下方有一勻強磁場區(qū)域,該區(qū)域的上邊界PP′水平,并與線框的ab邊平行,磁場方向與線框平面垂直。已知磁場的磁感應(yīng)強度為B,線框ab邊長為L1,ad邊長為L2,線框質(zhì)量為m。令線框的dc邊從離磁場區(qū)域邊界PP′的高度為h處由靜止開始下落,線框剛好勻速進入磁場區(qū)域。
(1)求線框的電阻R。
(2)求線框在進入磁場的過程中,通過線框?qū)Ь橫截面的電荷量q。
(3)若將線框從dc邊離磁場區(qū)域邊界PP′的高度為H處由靜止開始下落,當(dāng)線框的一半進入磁場時,線框剛好開始勻速下落,求線框進入磁場過程中,安培力做的總功W。
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