如圖，為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示怠圖．在xOy平面的第一象限，存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
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的一段_o≤x≤L，0≤y≤L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域I；在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0，y=L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域II （即正方 形MNPQ區(qū)域\兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E，電子的電荷量為e，不計(jì)電子重力的影響，則 從電場(chǎng)I區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的各個(gè)電子（　�。�
A．從PN間不同位置處離開區(qū)域II
B．從PQ間不同位置處離開區(qū)域II
C．在電場(chǎng)區(qū)域II中運(yùn)動(dòng)時(shí)間相同
D．離開MNPQ的最小動(dòng)能為eEL
魔方格
D
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：2013年浙江省嘉興市高考物理一模試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖，為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示怠圖．在xOy平面的第一象限，存在以x軸y軸及雙曲線的一段_o≤x≤L，0≤y≤L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域I；在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0，y=L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域II （即正方 形MNPQ區(qū)域\兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E，電子的電荷量為e，不計(jì)電子重力的影響，則 從電場(chǎng)I區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的各個(gè)電子（ ）

A．從PN間不同位置處離開區(qū)域II
B．從PQ間不同位置處離開區(qū)域II
C．在電場(chǎng)區(qū)域II中運(yùn)動(dòng)時(shí)間相同
D．離開MNPQ的最小動(dòng)能為eEL

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科目：高中物理 來源：2011年江西省上饒縣中學(xué)高三第二次月考物理卷 題型：計(jì)算題

研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型如圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長為L的正方形，方向如圖所示（不計(jì)電子所受重力）。
【小題1】在AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放的電子，求電子從CD邊射出時(shí)出射點(diǎn)的縱坐標(biāo)y。
【小題2】在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，若電子恰能從II區(qū)域左下角D處離開，
求所有釋放點(diǎn)的位置。

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科目：高中物理 來源：2011年江西省高三第二次月考物理卷 題型：計(jì)算題

研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型如圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長為L的正方形，方向如圖所示（不計(jì)電子所受重力）。

1.在AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放的電子，求電子從CD邊射出時(shí)出射點(diǎn)的縱坐標(biāo)y。

2.在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，若電子恰能從II區(qū)域左下角D處離開，

求所有釋放點(diǎn)的位置。

 

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科目：高中物理 來源： 題型：

研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型如圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長為L的正方形，方向如圖所示（不計(jì)電子所受重力）。

1.在AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放的電子，求電子從CD邊射出時(shí)出射點(diǎn)的縱坐標(biāo)y。

2.在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，若電子恰能從II區(qū)域左下角D處離開，

求所有釋放點(diǎn)的位置。

 

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科目：高中物理 來源：江西省上饒縣中學(xué)2012屆高三上學(xué)期第二次月考物理試題 題型：038

研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型如圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長為L的正方形，方向如圖所示(不計(jì)電子所受重力)．

(1)在AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放的電子，求電子從CD邊射出時(shí)出射點(diǎn)的縱坐標(biāo)y．

(2)在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，若電子恰能從Ⅱ區(qū)域左下角D處離開，求所有釋放點(diǎn)的位置．

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科目：高中物理 來源：江西省上饒縣中學(xué)2012屆高三第二次月考物理試題 題型：038

研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型如圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長為L的正方形，方向如圖所示(不計(jì)電子所受重力)．

(1)在AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放的電子，求電子從CD邊射出時(shí)出射點(diǎn)的縱坐標(biāo)y．

(2)在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，若電子恰能從Ⅱ區(qū)域左下角D處離開，求所有釋放點(diǎn)的位置．

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖．在Oxy平面的第一象限，存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)I；在第二象限存在以x=-L； x=-2L；y=0；y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)II．兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E，不計(jì)電子所受重力．求
（1）從電場(chǎng)I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開MNPQ時(shí)的位置；
（2）由電場(chǎng)I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能；
（3）若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向左移動(dòng)
L
n
（n≥1），要使電子從x=-2L，y=0處離開電場(chǎng)區(qū)域II，在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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科目：高中物理 來源：遼寧省沈陽二中2010－2011學(xué)年高一6月月考物理試題 題型：038

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)粒子所受重力，已知電子的質(zhì)量為m，電量為e)．

(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ的時(shí)間t和速率v0．

(2)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，求電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)；

(3)在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開，求所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo)．

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科目：高中物理 來源：黑龍江省牡丹江一中2010－2011學(xué)年高二上學(xué)期期中考試物理理科試題 題型：038

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ，兩電場(chǎng)的邊界是邊長為L的正方形(不計(jì)電子所受重力)

(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，求電子離開ABCD區(qū)域的位置；

(2)在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開，求所有釋放點(diǎn)的位置；

(3)若將左側(cè)電場(chǎng)Ⅱ整體水平向右移動(dòng)L/n(n≥1)，仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場(chǎng)移動(dòng))，求在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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科目：高中物理 來源：2008年普通高等學(xué)校招生全國統(tǒng)一考試(上海卷)、物理試卷及答案 題型：038

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)粒子所受重力)．

(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，求電子離開ABCD區(qū)域的位置；

(2)在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開，求所有釋放點(diǎn)的位置；

(3)若將左側(cè)電場(chǎng)Ⅱ整體水平向右移動(dòng)(n≥1)，仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場(chǎng)移動(dòng))，在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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