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科目: 來源:gzwl 題型:

A、B兩個(gè)物體從同一地點(diǎn)在同一直線上做勻變速直線運(yùn)動,它們的速度圖象如圖所示,則( 。
A.A、B兩物體運(yùn)動方向相反
B.t=4s時(shí),A、B兩物體相遇
C.在相遇前,t=4s時(shí)A、B兩物體相距最遠(yuǎn)
D.在相遇前,A、B兩物體最遠(yuǎn)距離20m
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

一種新型雙門電冰箱安裝了控制裝置:只要有一扇門沒有關(guān)緊,報(bào)警器就鳴響.若“門沒關(guān)緊”為高電勢,報(bào)警器接地,則能正確表示該控制裝置工作原理的邏輯門是( 。
A.與門B.或門C.非門D.與非門

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科目: 來源:gzwl 題型:

兩物體甲和乙在同一直線上運(yùn)動,它們在0~0.4s時(shí)間內(nèi)的v-t圖象如圖所示.若僅在兩物體之間存在相互作用,則物體甲與乙的質(zhì)量之比和圖中時(shí)間t1分別為( 。
A.
1
3
和0.30s
B.3和0.30sC.
1
3
和0.28s
D.3和0.28s
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

如圖所示,質(zhì)量不計(jì)的彈簧豎直固定在水平面上,t=0時(shí)刻,將一金屬小球從彈簧正上方某一高度處由靜止釋放,小球接觸彈簧并將彈簧壓縮至最低點(diǎn)(形變在彈性限度內(nèi)),然后又被彈起離開彈簧,上升到一定高度后又下落,如此反復(fù).通過安裝在彈簧下端的壓力傳感器,測出該過程中彈簧彈力F隨時(shí)間t變化的圖象如圖所示,則( 。
A.運(yùn)動過程中小球的機(jī)械能守恒
B.t2時(shí)刻小球的加速度為零
C.t1~t2這段時(shí)間內(nèi),小球的動能在逐漸減小
D.t2~t3這段時(shí)間內(nèi),小球的動能與重力勢能之和在增加
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

“神舟”八號經(jīng)過變軌后,最終在距離地球表面約343公里的圓軌道上正常飛行,約90分鐘繞地球一圈.則下列說法錯(cuò)誤的是( 。
A.“神舟”八號繞地球正常飛行時(shí)宇航員的加速度小于9.8m/s2
B.“神舟”八號繞地球正常飛行的速率可能大于8km/s
C.“神舟”八號飛船在軌道上正常飛行時(shí),宇航員會處于完全失重狀態(tài)而懸浮
D.“神舟”八號運(yùn)行的周期比地球近地衛(wèi)星的周期大
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

一列簡諧橫波沿x軸正方向傳播,t時(shí)刻與(t+0.6)時(shí)刻的波形圖正好重合,如圖所示.則下列說法中正確的是( 。
A.質(zhì)點(diǎn)振動周期可能為1.2s
B.該波的波速可能為10m/s
C.在(t+0.4)時(shí)刻,x=-1m處的質(zhì)點(diǎn)位移可能為零
D.從(t+0.3)時(shí)刻開始計(jì)時(shí),x=0.5m處的質(zhì)點(diǎn)可能比x=-0.5m處的質(zhì)點(diǎn)先到達(dá)波峰位置
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

如圖所示,在O≤x≤L和2L≤x≤3L的區(qū)域內(nèi)存在著勻強(qiáng)磁場,磁場的方向垂直于xOy平面(紙面)向里,具有一定電阻的正方形線框abcd邊長為2L,位于xOy平面內(nèi),線框的ab邊與y軸重合.令線框從t=0時(shí)刻由靜止開始沿x軸正方向做勻加速直線運(yùn)動,則線框中的感應(yīng)電流i(取逆時(shí)針方向的電流為正)隨時(shí)間t的函數(shù)圖象大致是下列圖中的( 。
A.
魔方格
B.
魔方格
C.
魔方格
D.
魔方格
魔方格

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科目: 來源:gzwl 題型:

下列說法正確的是 ( 。
A.在波的傳播過程中,質(zhì)點(diǎn)的振動頻率等于波源的振動頻率,振動速度等于波的傳播速度
B.愛因斯坦狹義相對論指出,真空中的光速在不同的慣性參考系中都是相同的
C.在光的雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中,若僅將入射光由紅光改為綠光,根據(jù)λ=
d
L
△x
,則可確定干涉條紋間距變窄
D.水中的氣泡看起來特別明亮,是因?yàn)楣鈴乃湎驓馀輹r(shí),一部分光在界面上發(fā)生了全反射的緣故
E.光纖通信、全息照相、數(shù)碼相機(jī)及醫(yī)用纖維式內(nèi)窺鏡都是利用了光的全反射原理

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科目: 來源:gzwl 題型:

A、B、C、D分別是一個(gè)菱形的四個(gè)頂點(diǎn),∠ABC=120°.現(xiàn)將三個(gè)等量的正點(diǎn)電荷+Q固定在A、B、C三個(gè)頂點(diǎn)上,將一個(gè)電量為-q的點(diǎn)電荷依次放在菱形中心點(diǎn)O點(diǎn)和另一個(gè)頂點(diǎn)D點(diǎn)處,兩點(diǎn)相比( 。
A.D點(diǎn)的電場強(qiáng)度大于O點(diǎn)的電場強(qiáng)度
B.D點(diǎn)的電勢高于O點(diǎn)的電勢
C.-q在D點(diǎn)所具有的電勢能較大
D.-q在D點(diǎn)所受的電場力較小
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半導(dǎo)體指紋傳感器:在一塊半導(dǎo)體基板上陣列了10萬金屬顆粒,傳感器陣列的每一點(diǎn)是一個(gè)金屬電極,充當(dāng)電容器的一極,其外面是絕緣的表面.手指貼在其上與其構(gòu)成了電容器的另一極,由于手指指紋深淺不同,嵴和峪與半導(dǎo)體電容感應(yīng)顆粒形成的電容值大小不同,其工作過程是通過對電容感應(yīng)顆粒預(yù)先充電到某一參考電壓,然后對每個(gè)電容的放電電流進(jìn)行測量,設(shè)備將采集到不同的數(shù)值匯總,也就完成了指紋的采集,則( 。
A.指紋的嵴處與半導(dǎo)體基板上對應(yīng)的金屬顆粒距離近,電容小
B.指紋的峪處與半導(dǎo)體基板上對應(yīng)的金屬顆粒距離遠(yuǎn),電容小
C.對每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指靠近時(shí),各金屬電極電量減小
D.對每個(gè)電容感應(yīng)顆粒都充電至某一參考電壓時(shí),在手指遠(yuǎn)離時(shí),各金屬電極均處于充電狀態(tài)

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