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科目： 來源：不詳 題型：單選題

某元素R的氣態(tài)氫化物的化學式為H2R,則R的最高價氧化物對應水化物化學式是(　　)。
A．H2RO3B．HRO3C．H3RO4D．H2RO4

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科目： 來源：不詳 題型：單選題

第四周期某主族元素的原子,它的最外電子層上有2個電子,下列關于此元素的敘述正確的是(　　)。
A．原子半徑比鉀的原子半徑大
B．氯化物難溶于水
C．原子半徑比鎂的原子半徑大
D．碳酸鹽易溶于水

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科目： 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D 4種元素的原子序數(shù)均小于18,其最高正價依次為+1、+4、+5、+7,已知B的原子核外次外層電子數(shù)為2。A、C原子的核外次外層電子數(shù)為8。D元素的最高價氧化物對應水化物是已知無機含氧酸中最強的酸。則:
(1)A、B、C、D分別是　　　　、　　　　、　　　　、　　　　
(2)A的離子結構示意圖為　　　　　,C的原子結構示意圖為　　　　　
(3)C的最高價氧化物對應水化物與A的氫氧化物反應生成　　　　種鹽,其化學式為　　　　　、　　　　　、　　　　　(可不填滿,也可補充)
(4)C、D的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性由強到弱的順序是　　　　　　　

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科目： 來源：不詳 題型：單選題

(雙選)已知鈹(Be)的原子序數(shù)為4。下列對鈹及其化合物的敘述中,正確的是(　　)。
A．鈹?shù)脑影霃酱笥谂鸬脑影霃?/td>
B．氯化鈹難溶于水
C．氫氧化鈹?shù)膲A性比氫氧化鈣的弱
D．單質鈹跟冷水反應迅速產生氫氣

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科目： 來源：不詳 題型：單選題

(雙選)某元素X的原子序數(shù)為52,下列敘述正確的是(　　)。
A．X的主要化合價是-2、+4、+6
B．X可以形成穩(wěn)定的氣態(tài)氫化物
C．X的最高價氧化物對應水化物的酸性比HBrO4的酸性強
D．X的簡單陰離子的還原性比溴離子強

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科目： 來源：不詳 題型：單選題

第二周期元素R,它的最外電子層達到穩(wěn)定結構所需電子數(shù)小于最外層達到穩(wěn)定結構時的電子數(shù)和最內層電子數(shù)之差,并且等于最內層電子數(shù)的整數(shù)倍。則關于R的正確說法是(　　)。
A．常溫下能穩(wěn)定存在的R的氧化物都能和燒堿溶液起反應
B．R最高價氧化物對應水化物都是強酸
C．R的最簡單氫化物可能有兩種,其穩(wěn)定性一種比NH3強,另一種比NH3弱
D．R的最簡單氫化物受熱時都易分解

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科目： 來源：不詳 題型：填空題

根據(jù)元素周期表1~20號元素的性質和遞變規(guī)律,回答下列問題。
(1)屬于金屬元素的有　　　　種,金屬性最強的元素與氧氣反應生成的化合物有　　　　(填兩種化合物的化學式)。 
(2)屬于稀有氣體的是　　　　(填元素符號,下同)。 
(3)形成化合物種類最多的兩種元素是　。 
(4)第三周期中,原子半徑最大的是(稀有氣體除外)　　　　。 
(5)推測Si、N最簡單氫化物的穩(wěn)定性　　　　大于　　　　(填化學式)。 

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科目： 來源：不詳 題型：單選題

元素周期表在指導科學研究和生產實踐方面具有十分重要的意義,請將下表中A、B兩欄描述的內容對應起來。
A
B
A
B
①制半導體的元素
(a)ⅢB至ⅥB的過渡元素
①
 
②制催化劑的元素
(b)F、Cl、Br、N、S“三角地帶”
②
 
③制耐高溫材料的元素
(c)金屬與非金屬元素分界線附近
③
 
④制制冷劑的元素
(d)相對原子質量較小的元素
④
 
⑤地殼中含量較多的元素
(e)過渡元素
⑤
 
 

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科目： 來源：不詳 題型：單選題

A元素的最高價離子0.5 mol被還原成中性原子時,要得到6.02×1023個電子。它的單質同鹽酸充分反應時,放出0.02 g H2,用去0.4 g A。B元素的原子核外電子層數(shù)與A相同,且B元素形成的單質是紅棕色液體。
(1)寫出這兩種元素的名稱:A　　　　　　　,B　　　　　　。 
(2)用結構示意圖表示A、B兩元素常見離子:A　　　　　　,B　　　　　　　。 
(3)用電子式表示A、B形成的化合物。

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科目： 來源：不詳 題型：單選題

(雙選)已知A、B、C、D、E是短周期中原子序數(shù)依次增大的5種主族元素,其中元素A、E的單質在常溫下呈氣態(tài),元素B的原子最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的2倍,元素C在同周期的主族元素中原子半徑最大,元素D的合金是日常生活中常用的金屬材料。下列說法正確的是(　　)。
A.元素B、E組成的化合物常溫下一定呈氣態(tài)
B.一定條件下,元素C、D的最高價氧化物對應水化物之間能發(fā)生反應
C.工業(yè)上常用電解法制備元素C、D、E的單質
D.化合物AE與CE含有相同類型的化學鍵

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