A. | 線框落地前的速度將一直增大 | |
B. | 線框進(jìn)入磁場時(shí)的加速度的值可能大于g | |
C. | 線框落地時(shí)重力的功率一定是$\frac{{m}^{2}{g}^{2}R}{{B}^{2}{L}^{2}}$ | |
D. | 通過線框橫截面的電荷量一定是$\frac{B{L}^{2}}{R}$ |
分析 根據(jù)線框進(jìn)入磁場時(shí)所受的安培力和重力的大小關(guān)系,分析速度的變化,結(jié)合牛頓第二定律分析加速度的大。鶕(jù)電量的表達(dá)式q=$n\frac{△Φ}{R}$求出通過線框橫截面的電荷量.
解答 解:A、若高度h較大,線框進(jìn)入磁場時(shí)的速度較大,感應(yīng)電動勢較大,電流較大,所受的安培力大于重力,會出現(xiàn)減速運(yùn)動,故A錯(cuò)誤.
B、由A選項(xiàng)分析知,進(jìn)入磁場時(shí),安培力大于重力,加速度為:a=$\frac{{F}_{A}-mg}{m}$,若安培力大于2倍的重力,則加速度大于g,故B正確.
C、若線框進(jìn)入磁場時(shí)做勻速運(yùn)動,則有:$mg=\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$
解得速度為:v=$\frac{mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$
重力功率為:P=mgv=$\frac{{m}^{2}{g}^{2}R}{{B}^{2}{L}^{2}}$
但是線框進(jìn)入磁場的過程,不一定達(dá)到勻速,則功率不一定等于$\frac{{m}^{2}{g}^{2}R}{{B}^{2}{L}^{2}}$,故C錯(cuò)誤.
D、根據(jù)q=$n\frac{△Φ}{R}$知,線框進(jìn)入磁場的過程中通過橫截面的電荷量為:q=$\frac{B{L}^{2}}{R}$,與速度無關(guān),故D正確.
故選:BD.
點(diǎn)評 解決本題的關(guān)鍵會根據(jù)物體的受力分析物體的運(yùn)動規(guī)律,注意線框進(jìn)入磁場時(shí),可能安培力大于重力,可能安培力小于重力,可能安培力等于重力.掌握電量的經(jīng)驗(yàn)表達(dá)式q=$n\frac{△Φ}{R}$,并能靈活運(yùn)用.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0s-2s內(nèi):甲圖質(zhì)點(diǎn)做勻加速直線運(yùn)動,乙圖質(zhì)點(diǎn)做勻速直線運(yùn)動 | |
B. | 2s-3s內(nèi):甲圖質(zhì)點(diǎn)和乙圖質(zhì)點(diǎn)均靜止不動 | |
C. | 3s-5s內(nèi):甲圖質(zhì)點(diǎn)和乙圖質(zhì)點(diǎn)均做勻減速運(yùn)動,加速度為-15m/s2 | |
D. | 0s-5s內(nèi):甲圖質(zhì)點(diǎn)的位移為-10m,乙圖質(zhì)點(diǎn)的位移為100m |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | C=$\frac{m({v}_{0}-{v}_{1})}{{B}^{2}{l}^{2}{v}_{1}}$ | B. | C=$\frac{m({v}_{0}-{v}_{1})}{B{l}^{2}{v}_{0}}$ | ||
C. | C=$\frac{m({v}_{0}-{v}_{1})}{{B}^{2}{l}^{2}{v}_{1}}$ | D. | C=$\frac{m({v}_{0}-{v}_{1})}{B{l}^{2}{v}_{1}}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電壓表無讀數(shù),電流表無讀數(shù) | B. | 電壓表有讀數(shù),電流表無讀數(shù) | ||
C. | Uab>Ucd | D. | Uab=Ucd |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電阻R1消耗的熱功率為$\frac{Fv}{3}$ | |
B. | 電阻R2消耗的熱功率為$\frac{Fv}{6}$ | |
C. | 整個(gè)裝置因摩擦而消耗的熱功率為2μmgvcosθ | |
D. | 整個(gè)裝置消耗的機(jī)械功率為(F+μmgcosθ)v |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | ||||
C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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