A. | 乙將勻速穿過勻強(qiáng)磁場區(qū)域 | |
B. | 乙將加速穿過勻強(qiáng)磁場區(qū)域 | |
C. | 甲穿過磁場過程中產(chǎn)生的電熱為mgL | |
D. | 乙穿過磁場過程中產(chǎn)生的電熱為4mgL |
分析 線框在進(jìn)入磁場前做自由落體運(yùn)動(dòng),由自由落體運(yùn)動(dòng)規(guī)律可以求出線框進(jìn)入磁場時(shí)速度的表達(dá)式線框進(jìn)入磁場時(shí),對(duì)線框受力分析,根據(jù)線框的受力情況判斷線框的運(yùn)動(dòng)狀態(tài);由能量守恒求出線框進(jìn)入磁場過程中產(chǎn)生的電熱.
解答 解:AB、設(shè)線框下落的高度是h,線框做自由落體運(yùn)動(dòng),線框進(jìn)入磁場時(shí)的速度v2=2gh,v=$\sqrt{2gh}$,兩線框進(jìn)入磁場時(shí)的速度相等,
對(duì)于甲線框:進(jìn)入磁場時(shí)受到的安培力F=BIL=B$\frac{BLv}{R}$L=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$
甲進(jìn)入磁場時(shí)做勻速直線運(yùn)動(dòng),則$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$=mg,即$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{ρ\frac{4L}{S}}$=ρ密•4LSg,變形得:$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{ρ}$=16ρ密ρg
可知該等式與截面積S無關(guān),所以進(jìn)入磁場時(shí)也做勻速直線運(yùn)動(dòng),故A正確,B錯(cuò)誤.
CD、根據(jù)能量守恒定律知:甲穿過磁場過程中產(chǎn)生的電熱為 Q甲=2mgL
由m=ρ密•4LS,知乙的質(zhì)量為4m
由能量守恒定律知:乙穿過磁場過程中產(chǎn)生的電熱為 Q乙=2m乙gL=8mgL,故CD錯(cuò)誤;
故選:A.
點(diǎn)評(píng) 本題涉及的知識(shí)點(diǎn)較多,考查了:自由落體運(yùn)動(dòng)規(guī)律、導(dǎo)體棒切割磁感線產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢、歐姆定律、電流定義式、安培力公式、電功公式、電阻定律、密度公式的變形公式等問題,是一道綜合題,熟練掌握并靈活應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí),是正確解題的前提與關(guān)鍵.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | F1、F2可看作G的兩個(gè)分力 | B. | G是G1與G2的合力 | ||
C. | 若α大于β,則G2必大于G1 | D. | F1與F2的合力必定豎直向上 |
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