A. | M板比N板電勢高 | |
B. | 導體單位體積內(nèi)自由電子數(shù)越多,電壓表的示數(shù)越大 | |
C. | 導體中自由電子定向移動的速度為v=$\frac{U}{Bd}$ | |
D. | 導體單位體積內(nèi)的自由電子數(shù)為v=$\frac{qbB}{m}$ |
分析 金屬導體是自由電子導電,電流方向向右,則電子向左定向移動,在磁場中受到洛倫茲力發(fā)生偏轉(zhuǎn),根據(jù)左手定則判斷電子所受的洛倫茲力方向,判斷哪個板聚集電子,再確定M、N兩板電勢的高低.電子定向移動相當長度為d的導體切割磁感線產(chǎn)生感應電動勢E=Bdv,為電子定向移動的速率,電壓表的讀數(shù)U=E.根據(jù)電流的微觀表達式I=nevS,求解導體單位體積內(nèi)的自由電子數(shù)n.
解答 解:A、如圖,電流方向向右,電子向左定向移動,根據(jù)左手定則判斷可知,電子所受的洛倫茲力方向:向上,則M積累了電子,MN之間產(chǎn)生向上的電場,所以M板比N板電勢低.故A錯誤.
B、電子定向移動相當長度為d的導體切割磁感線產(chǎn)生感應電動勢,電壓表的讀數(shù)U等于感應電動勢E,則有U=E=Bdv,可見,電壓表的示數(shù)與導體單位體積內(nèi)自由電子數(shù)無關(guān).故B錯誤.
C、由U=E=Bdv,得自由電子定向移動的速度為 v=$\frac{U}{Bd}$.故C正確.
D、電流的微觀表達式是I=nevS,則導體單位體積內(nèi)的自由電子數(shù) n=$\frac{I}{evS}$,S=db,v=$\frac{U}{Bd}$,代入得n=$\frac{BI}{eUb}$.故D錯誤.
故選:C.
點評 本題現(xiàn)象稱為霍耳效應,也可以從洛倫茲力與電場力平衡分析電壓表的示數(shù).
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 200m決賽中的位移是100m決賽的兩倍 | |
B. | 200m決賽中的平均速度約為10.35m/s | |
C. | 100m決賽中的平均速度約為10.38m/s | |
D. | 100m決賽中的平均速度約為20.64m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 紅光最先穿過棱鏡 | B. | 紫光最先穿過棱鏡 | ||
C. | 紅光的偏折角度度最大 | D. | 紫光的偏折角度最大 |
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