13.車(chē)輛排放的氮氧化物、煤燃燒產(chǎn)生的二氧化硫是導(dǎo)致霧霾天氣的“罪魁禍?zhǔn)住保钚蕴靠商幚泶髿馕廴疚颪O.在2L密閉容器中加入NO和活性炭(無(wú)雜質(zhì)),生成氣體E和F.當(dāng)溫度分別在T1和T2時(shí),測(cè)得各物質(zhì)平衡時(shí)物質(zhì)的量(n/mol)如下表:
       物質(zhì)
T/℃
活性炭NOEF
初始3.0000.1000
T12.9600.0200.0400.040
T22.9750.0500.0250.025
(1)寫(xiě)出NO與活性炭反應(yīng)的化學(xué)方程式C+2NO?N2+CO2
(2)上述反應(yīng)T1℃時(shí)的平衡常數(shù)K1=4.
(3)上述反應(yīng)T1℃時(shí)達(dá)到平衡后,再通入0.1mol的NO的氣體,則達(dá)到新平衡時(shí)NO的轉(zhuǎn)化率為80%.
(4)如圖為在T1℃達(dá)到平衡后在t2、t3、t4、t5時(shí)改變某一種反應(yīng)條件,平衡體系中速率隨時(shí)間變化的情況,
且所改變的條件均不同.已知t3-t4階段為使用催化劑.請(qǐng)判斷溫度的高低T1<T2,該反應(yīng)△H<0.

分析 (1)由表中數(shù)據(jù)可知,C、NO、E、F的化學(xué)計(jì)量數(shù)之比為(3.000-2.960):(0.10-0.020):0.040:0.040=1:2:1:1,反應(yīng)中C被氧化,結(jié)合原子守恒可知,生成為N2與CO2;
(2)計(jì)算各氣體的平衡濃度,代入平衡常數(shù)表達(dá)式計(jì)算;
(3)反應(yīng)C+2NO?N2+CO2是一個(gè)氣體體積不變的反應(yīng),而反應(yīng)物只有一種,故加入NO氣體,建立的平衡和原平衡為等效平衡;
(4)t2、t3、t4、t5時(shí)改變某一種反應(yīng)條件,所改變的條件均不同,可以判斷每一時(shí)刻改變的條件.

解答 解:(1)由表中數(shù)據(jù)可知,C、NO、E、F的化學(xué)計(jì)量數(shù)之比為(3.000-2.960):(0.10-0.020):0.040:0.040=1:2:1:1,反應(yīng)中C被氧化,結(jié)合原子守恒可知,生成為N2與CO2,且該反應(yīng)為可逆反應(yīng),反應(yīng)方程式為C+2NO?N2+CO2,故答案為:C+2NO?N2+CO2
(2)平衡時(shí)c(NO)=$\frac{0.020mol}{2L}$=0.010mol/L,c(N2)=c(CO2)=$\frac{0.040mol}{2L}$=0.020mol/L,故T2℃時(shí)該反應(yīng)的平衡常數(shù)為K2=$\frac{0.020×0.020}{0.01{0}^{2}}$=4,故答案為:4; 
(3)反應(yīng)C+2NO?N2+CO2是一個(gè)氣體體積不變的反應(yīng),而反應(yīng)物只有一種,故加入NO氣體,建立的平衡和原平衡為等效平衡,原平衡中NO轉(zhuǎn)化率為$\frac{0.10-0.020}{0.10}×100%$=80%,則達(dá)到新平衡時(shí)NO的轉(zhuǎn)化率為80%,故答案為:80%; 
(4)改變的條件均不同,t5時(shí)刻,正逆反應(yīng)速率均增大,且逆反應(yīng)速率大于正反應(yīng)速率,故t5時(shí)刻改變條件為升溫,所以正反應(yīng)為放熱反應(yīng),升溫平衡逆向移動(dòng),T1<T2,該反應(yīng)△H<0,故答案為:<;<.

點(diǎn)評(píng) 本題考查化學(xué)平衡圖象、化學(xué)反應(yīng)速率、影響化學(xué)平衡的因素,難度中等,是對(duì)知識(shí)的綜合利用、注意基礎(chǔ)知識(shí)的理解掌握.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

3.把一小塊金屬鈉長(zhǎng)期放置于空氣中,最終得到的物質(zhì)是(  )
A.NaHCO3B.Na2CO3C.NaOHD.Na2O2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題

4.有A、B、C、D、E五種短周期主族元素,原子序數(shù)按A、B、C、D、E順序增大,A是半徑最小的原子,B最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍,C2-與D+最外層電子數(shù)均為次外層的4倍,E和B同主族.
(1)A、C、D三種元素形成的化合物的電子式
(2)BC2的電子式.屬非極性分子(填分子極性).EC2其固體屬原子晶體.
(3)用電子式表示D2 C的形成過(guò)程
(4)B、C、D、E單質(zhì)熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镃、Si、Na、O2(填單質(zhì)化學(xué)式)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:多選題

1.T℃時(shí),某恒榮密閉容器中充入A、B、C三種氣體,反應(yīng)過(guò)程中各氣體物質(zhì)的量濃度c(mol/L)隨時(shí)間的變化如圖1所示,C氣體的百分含量(C%)隨時(shí)間、反應(yīng)條件X的變化如圖2所示,下列說(shuō)法最恰當(dāng)?shù)氖牵ā 。?br />
A.0~2分鐘、2~3分鐘內(nèi)用A濃度表示的平均反應(yīng)速率:v(0~2)>v(2~3)>0
B.容器中發(fā)生的反應(yīng)可表示為:3A(g)+B(g)?2C(g)
C.若X表示溫度,則生成C的反應(yīng)是放熱反應(yīng)
D.若其他條件不變,僅減小起始時(shí)B的濃度,開(kāi)始反應(yīng)后C物質(zhì)的濃度一定減小

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

8.“84”消毒液的有效成分是( 。
A.NaClOB.NaClC.NaOHD.Na2CO3

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題

18.普通紙張的主要成分是纖維素,在早期的紙張生產(chǎn)中,常采用紙表面涂覆明礬的工藝,以填補(bǔ)其表面的微孔,防止墨跡擴(kuò)散,請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)人們發(fā)現(xiàn)紙張會(huì)發(fā)生酸性腐蝕而變脆、破損,嚴(yán)重威脅紙質(zhì)文物的保存.經(jīng)分析檢驗(yàn),發(fā)現(xiàn)酸性腐蝕主要與造紙中涂覆明礬的工藝有關(guān),其中的化學(xué)原理是明礬水解產(chǎn)生酸性環(huán)境,在酸性條件下,纖維素水解,使高分子鏈斷裂;為了防止紙張的酸性腐蝕,可在紙漿中加入碳酸鈣等添加劑,該工藝原理的離子方程式為CaCO3+2H+=Ca2++CO2↑+H2O.
(2)為了保護(hù)這些紙質(zhì)文物,有人建議采取下列措施:
①噴灑堿性溶液,如稀氫氧化鈉溶液或氨水等,這樣操作產(chǎn)生的主要問(wèn)題是過(guò)量的堿同樣可以導(dǎo)致纖維素的水解,造成書(shū)籍污損.
②噴灑Zn(C2H52.Zn(C2H52可以與水反應(yīng)生成氧化鋅和乙烷.用化學(xué)(離子)方程式表示該方法生成氧化鋅及防治酸性腐蝕的原理Zn(C2H52+H2O=ZnO+2C2H6↑,ZnO+2H+=Zn2++H2O.
(3)現(xiàn)代造紙工藝常用鈦白粉(TiO2)替代明礬.鈦白粉的一種工業(yè)制法是以鈦鐵礦(主要成分FeTiO3)為原料按下列過(guò)程進(jìn)行的,請(qǐng)完成下列化學(xué)方程式:
①□FeTiO3+□C+□Cl2$\frac{\underline{\;900℃\;}}{\;}$□TiCl4+□FeCl3+□CO
②□TiCl4+□O2$\frac{\underline{\;1000-1400℃\;}}{\;}$□TiO2+□Cl2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

5.除去下列物質(zhì)中混有的雜質(zhì),所選用的試劑及操作方法均正確的是( 。
 物質(zhì)雜質(zhì)除雜質(zhì)應(yīng)選用的試劑和操作方法
ACO2CO通入O2,點(diǎn)燃
B乙醇汽油加入CCl4萃取、分液
CCu(NO32溶液AgNO3溶液加入過(guò)量的銅粉,過(guò)濾
DKNO3溶液KOH溶液加入適量的CuSO4溶液,過(guò)濾
A.AB.BC.CD.D

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

2.下列說(shuō)法不正確的是( 。
A.在海輪外殼上鑲?cè)脘\塊,可減緩船體的腐蝕速率
B.鐵在潮濕的空氣中容易腐蝕
C.鍍鋅的鐵制品比鍍錫的鐵制品耐用
D.常溫下鋁跟稀硫酸快速反應(yīng),跟濃硫酸不反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題

3.晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HCl═SiHCl3+H2
③SiHCl3與過(guò)量H2在1 000~1 100℃反應(yīng)制得純硅.
已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃.
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為2C+SiO2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO↑.
(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)-33℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為蒸餾.
(3)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如圖(熱源及夾持裝置略去)

①裝置B中的試劑是濃硫酸.裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是使SiHCl3氣化.
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是SiHCl3與過(guò)量的H2在1000℃~1100℃反應(yīng)制得純硅,溫度太高,普通玻璃管易熔化.
裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為SiHCl3+H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+3HCl.
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡.
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑是(填寫(xiě)字母代號(hào))bd.
a.碘水     b.氯水    c.NaOH溶液    d.KSCN溶液     e.Na2SO3溶液.

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